台积电公布客制化HBM4E新细节：采用N3P制程，能效提升2倍

在全球高带宽存储器（HBM）竞争白热化之际，晶圆代工龙头台积电于近期阿姆斯特丹OIP生态论坛上披露其客制化HBM4E（C-HBM4E）技术进展。该产品将采用先进的N3P制程，并将工作电压从0.8伏特降至0.75伏特，实现较现行DRAM制程约2倍的能源效率提升。此外，C-HBM4E的基底芯片将首次整合内存控制器与物理接口（PHY），以往这些功能均由GPU或TPU主芯片承担。
除客制化版本外，台积电还将以N12制程打造标准HBM4的基底芯片，工作电压从1.1伏特降至0.8伏特，效率提升约1.5倍。目前，美光已委托台积电代工其HBM4E逻辑基底芯片，目标2027年量产；SK海力士亦计划于2026年下半年推出首款定制HBM4E，高端版本将采用3纳米级制程，用于英伟达旗舰GPU与谷歌TPU。台积电凭借其先进制程与开放创新平台，正成为全球HBM生态中不可或缺的制造支柱。