DRAM与NAND全面强涨，存储器市场迎产能价值重组

2025年下半年，全球存储器市场供需失衡加剧，DRAM与NAND Flash同步进入强势上涨循环，行业迎来以产能价值重组为核心的结构性变革。11月市场数据尤为震撼，DDR5现货价单月大涨75%，DDR4现货价同步攀升45%，现货与合约价差距拉至近年峰值，NAND Flash第四季度合约价预计涨幅集中在20%-25%，市场议价权已彻底转向卖方。
高盛分析指出，这波涨势并非短期炒作，而是服务器、AI服务器及数据中心需求同步爆发的必然结果。中国台湾地区服务器ODM 10月营收年增52%，韩国DRAM当月出口额同比增长57%，双重数据印证终端需求全面升温。在供给紧缩背景下，部分客户已被迫接受单季逾70%的价格涨幅，高端产能争夺愈发激烈。
机构预测，三星与SK海力士2025年第四季度DRAM混合平均售价将跳升19%，其中HBM需求成为最强拉动力，SK海力士2026年HBM出货量预计年增47%，远超市场34%的共识预期。此次涨势核心在于产能价值重组，原厂通过提升芯片堆叠层数、优化产品组合，在晶圆投入持平的情况下实现位元供给增长，同时向高毛利产品倾斜产能。
2025年第三季度供应商营收表现亮眼：三星以60亿美元营收、32.3%市占率稳居第一；铠侠受益AI服务器需求与BiCS8技术转换，营收季增33.1%至28.4亿美元；美光、晟碟分别实现15.4%、21.4%的季度增长，全行业呈现同步向好态势。