1c DRAM扩产背后：海力士调整“重HBM轻通用”出货策略

AI与通用存储需求交织 倒逼产能策略调整
全球存储器市场在AI浪潮下持续震荡，作为DRAM领域头部厂商的SK海力士近期传出重大策略调整信号——正加速扩充10纳米级第六代1c DRAM产能。此前，为集中资源生产高带宽存储器（HBM）这一高利润产品，SK海力士曾陆续通知主要客户缩减通用DRAM供应，将产线向AI核心需求倾斜。但随着2025年下半年通用DRAM价格急遽走扬，这一“重HBM轻通用”的策略开始出现松动。  
机构数据显示，2025年第四季度DDR5-6000MHz 32GB套装均价较年初翻倍，通用DRAM的供需缺口因AI算力之外的消费电子、企业级服务器需求复苏进一步扩大。SK海力士的客户结构中，除英伟达等AI巨头外，联想、戴尔等PC厂商及中小型数据中心对通用DRAM的稳定需求始终存在。当HBM的产能释放节奏难以匹配通用市场的价格红利时，调整产能配比成为SK海力士平衡“高利润”与“稳份额”的必然选择。  
1c DRAM扩产背后：技术迭代与市场博弈的双重驱动
1c DRAM作为第六代10纳米级产品，相较于前代1z、1α制程，在晶体管密度、功耗控制上均有显著提升，更适配当前中高端智能手机、轻薄笔记本电脑及边缘服务器的存储需求。SK海力士此次扩产并非简单的产能叠加，而是基于技术成熟度的战略押注——其清州M15X晶圆厂已于2025年第三季度完成1c DRAM产线调试，良率稳定在85%以上，为大规模量产奠定基础。值得关注的是，SK海力士的产能转向并非孤立事件。三星、美光等厂商同样在2025年下半年加大通用DRAM产能回补力度，反映出行业对“AI过热后通用市场补位”的共识。机构分析认为，SK海力士1c DRAM的扩产，既是对短期价格红利的捕捉，也是对2026年AI服务器与通用设备“双轮驱动”需求的提前布局。但需警惕的是，若AI算力需求增速超预期，HBM产能的持续吃紧可能再次挤压通用DRAM的资源投入，这场策略调整的可持续性仍需观察。