SK海力士300层NAND导入混合键合，迎战中日韩存储竞争

面对全球3D NAND闪存技术竞赛的白热化，韩国存储大厂SK海力士正加速推进其第十代V10 3D NAND产品开发，计划于2027年量产300层堆叠闪存，并首次采用“混合键合”（Hybrid Bonding）先进制程。这一技术突破旨在提升存储密度、降低功耗并增强可靠性，以应对来自三星、铠侠（Kioxia）、长江存储等中日韩竞争对手的激烈挑战。
混合键合技术通过铜-铜直接互连替代传统微凸块（micro-bump），可实现更精细的芯片堆叠间距与更低的信号延迟，是突破300层以上堆叠物理极限的关键。SK海力士此举不仅将提升其企业级SSD与移动设备UFS产品的性能，更意在抢占AI服务器、自动驾驶及高端智能手机等高附加值市场。目前，三星已在200+层NAND中应用类似技术，而长江存储的Xtacking架构亦具独特优势。SK海力士通过引入混合键合，有望缩小技术差距，甚至在特定应用场景实现反超。
分析指出，随着AI与大数据应用对存储容量和速度提出更高要求，NAND闪存正从“成本导向”转向“性能与可靠性导向”。SK海力士此次技术升级，不仅是产品迭代，更是其整体存储战略的重要一环——在HBM领域保持领先的同时，巩固NAND业务竞争力。未来几年，全球NAND市场或将呈现“三层竞争”：在层数上比拼堆叠高度，在架构上优化互连方式，在应用上深耕细分场景。SK海力士的300层混合键合NAND，正是其在这场多维竞赛中打出的关键一牌。