三星全力推进HBM4量产，平泽四厂成反攻关键

在高带宽存储器（HBM）市场争夺战中，一度落后的三星电子正发起强势反攻。据业内消息，三星已完成第六代HBM4的开发，并正全力推动位于韩国平泽的第四工厂（Ph4）提前完工，以加速HBM4量产进程。此举旨在夺回被SK海力士占据的AI内存主导地位，并抓住英伟达Rubin GPU及谷歌等云服务商对新一代HBM的迫切需求。
HBM4作为专为2026年及以后AI芯片设计的关键组件，具备I/O带宽翻倍、采用台积电先进逻辑制程等革命性特性。三星深知，若不能及时切入这一高端市场，将在AI基础设施供应链中被边缘化。因此，公司不仅投入巨资加快Ph4厂建设——该厂规划为HBM4专属生产基地，还同步优化其1β（1-beta）及1γ（1-gamma）制程良率，确保产能爬坡顺利。与此同时，三星正积极与英伟达、AMD及多家美国云服务商展开认证测试，力争在2026年下半年实现规模化出货。
值得注意的是，三星的反攻策略并非孤注一掷。在全力冲刺HBM4的同时，公司仍维持HBM3E的稳定供应，以覆盖Blackwell GPU的持续需求。这种“双轨并行”模式，既保障了短期营收，又为长期技术领先铺路。随着AI服务器对内存带宽的要求日益严苛，HBM已从“可选配件”变为“战略必需品”。三星能否借HBM4实现弯道超车，不仅关乎其存储业务利润结构，更将深刻影响全球AI硬件生态的权力格局。