​反转！瑞银：美光DDR内存毛利率将反超HBM，成新利润引擎

人工智能热潮下，高带宽存储器（HBM）常被视为半导体行业利润核心。但瑞银最新报告指出，美光传统DDR内存将在2026财年二季度实现毛利率反超HBM，这个“旧时代”产品正成为美光新获利引擎。该结论发布于美光2026财年一季度财报前夕，引发行业广泛关注。
瑞银维持美光“买入”评级及275美元目标价，其判断基于存储器产业结构性转变。为抢占AI红利，三星、SK海力士等头部厂商将60%新增晶圆产能投向HBM，直接导致传统DRAM供应持续收紧，供需失衡格局逐渐成型。
供需错配效应已显现：2026财年一季度，美光传统DRAM出货量仅增1%，但均价暴涨16%，毛利率达60%，与HBM的63%差距大幅收窄。瑞银预测，二季度DDR毛利率将升至67%，首次超越HBM的62%；三季度达71%，四季度更将突破75%，优势持续扩大。
DDR崛起是供需共同作用的结果。供给端，HBM产能消耗大、良率仅60%-70%，大量产能被占用，形成对传统DRAM的挤出效应，瑞银预计2027年前行业新增产能仍优先满足HBM需求。
需求端，工业控制、车用电子等领域对DDR需求刚性，AI服务器普及更带动配套需求增长。同时HBM成本下降缓慢，HBM3E单位成本是DDR5的5倍以上，非极致算力场景下DDR性价比优势突出，进一步支撑其价格。
这一变化直接提振美光业绩，瑞银预测其2026财年一季度营收132亿美元、每股盈余4.27美元，远超市场预期，增长主要由DDR涨价驱动。值得一提的是，HBM长期增长仍可期，预计2027年美光HBM营收达212.4亿美元，占比升至26%，形成DDR稳利润、HBM拓增长的双引擎格局。