SK海力士押注300层NAND：混合键合技术成破局关键

全球NAND竞争白热化，SK海力士加速研发300层级V10 3D NAND，计划2027年初量产。其核心突破是采用混合键合制程，可减轻电路负担、缩短生产时间，助力在与三星、长江存储等对手的竞争中占据优势。
3D NAND靠堆叠提升容量，但300层以上传统技术遇瓶颈。SK海力士现有321层NAND用PUC技术，而混合键合通过晶圆直接键合实现紧密连接，减少信号延迟、降低成本，是高堆叠NAND的关键技术。这一升级将突破现有产能与性能限制。
此举直指竞争对手：长江存储用Xtacking技术、铠侠用CBA技术早已应用混合键合，三星计划在400层NAND中采用。SK海力士加速V10量产，是为避免技术落后。长江存储270层NAND性能接近国际一流，市占率快速提升，更让SK海力士倍感压力。
技术投入换来了业绩爆发，2025年1-3季度SK海力士营收64万亿韩元，营业利润28万亿韩元，将超2024年峰值，并斩获GSA两项大奖。SK集团会长崔泰源强调"专注技术提升"，这一理念正推动SK海力士在半导体领域持续突破。