铠侠2026年量产第10代NAND Flash Sandisk股价应声飙涨

第10代NAND技术突破：堆叠层数跃升，性能全面提升
日本NAND大厂铠侠传来重磅消息：2026年将利用北上工厂第2厂房（K2）量产第10代NAND Flash，目标直指AI数据中心需求。这一产品的核心升级在于堆叠层数从现行第8代的218层跃升至332层，由此带来三大性能突破——每单位面积储存容量提升59%、数据传输速度改善33%、耗电量降低约20%。  
铠侠选择活用现有产能而非新建工厂，体现了对成本与效率的平衡考量。北上工厂K2厂房于2025年9月投产，原计划生产第8代3D NAND（堆叠218层），但通过技术迭代，现可直接承接第10代产品生产。铠侠岩手株式会社社长柴山耕一郎表示：“K2生产的第8代及下一代NAND，将为AI市场提供新价值。我们将依托与Sandisk的20年合作关系及规模经济，实现有机成长。”  
产能扩张与股价联动：Sandisk单日飙涨6.11%
铠侠与Sandisk的深度绑定，让后者股价率先反映市场预期。12月10日，Sandisk在纳斯达克飙涨6.11%，收于232.86美元。市场分析认为，铠侠第10代NAND的量产，将强化双方在AI储存领域的竞争力——Sandisk作为铠侠的全球合作伙伴，可共享技术红利并拓展北美市场。  
值得关注的是，北上工厂K2满载生产后，产能将几乎倍增（当前员工约2400人，2026-2027年计划各增聘100人）。这一扩产节奏与AI数据中心的需求增长高度匹配：机构预测，2026年全球AI数据中心对高容量NAND的需求将同比增长150%，铠侠的产能释放恰逢其时。