三星平泽工厂战略转向，全力扩产1c DRAM保障HBM4供应

为应对AI服务器对高带宽存储器（HBM）的爆炸性需求，韩国半导体巨头三星电子正对其全球最先进的平泽生产基地进行重大战略调整。据业内消息，三星已决定将平泽第四工厂（P4）第二阶段（Phase 2）的原定晶圆代工产能，全面转用于生产第六代HBM（HBM4）所采用的1c节点DRAM芯片。这一决策凸显三星在AI存储赛道上的紧迫感——随着英伟达Blackwell Ultra及后续Rubin架构GPU对HBM4带宽与容量提出更高要求，稳定、大规模的先进DRAM供应已成为争夺AI基础设施订单的关键筹码。
1c DRAM代表三星10纳米级制程的第四代技术，具备更高密度、更低功耗与更强良率控制能力，是支撑HBM4实现36GB以上堆叠容量与2.4TB/s以上带宽的基础。此次产能转移不仅将显著提升三星HBM4的自给率，也有助于缓解其Device Solutions部门与Mobile Experience部门之间的内部资源争夺——后者因无法获得足够DRAM配额，已多次预警2026年智能手机出货成本将上升20%-30%。通过将尖端产能聚焦于高毛利的AI存储业务，三星正加速构建“以数据中心驱动整体半导体盈利”的新范式。此举也预示着，未来两年内，HBM将成为存储器厂商技术实力与商业价值的核心试金石，而未能及时切入该赛道的企业或将被边缘化。