全球存储器“超级周期”是真牛市还是泡沫前夕？伯恩斯坦：2026年财报见真章

超级周期持续至2026年，HBM成核心增长引擎
华尔街机构伯恩斯坦最新报告指出，全球存储器市场正经历显著超级周期，价格上升趋势料持续至2026年下半年，之后涨幅收窄，2027年底趋于平稳。报告基于三星、SK海力士、美光等巨头分析，强调HBM与传统内存的互动关系是关键——DRAM和闪存（NAND）价格自2025年以来在需求强劲推动下持续上涨，主要供应商计划2026年大幅增加DRAM资本支出（预计整体产业增长40%），但设备订单到产能释放存在时滞，新增供给难解短缺，故价格涨势延续至2026年下半年。  
值得关注的是，HBM因AI需求旺盛，价格表现更坚挺：HBM3E价格下跌或被HBM4溢价抵消，2026年HBM位元出货量成长100%，2027年再增35%。伯恩斯坦预测，2026年四季度DRAM毛利率或达77%历史新高，2027年价格正常化后仍维持62%左右高点，成本下降与价格高企共同作用，使本轮周期成业界“史上最强”。  
NAND与中企影响：短期难撼动市场格局
相较DRAM，NAND市场资本支出成长有限（2026年增幅30%），基数较低，价格走势不如DRAM显著。中国企业如长鑫存储和长江存储正利用市场机会扩大产能，预计DRAM和NAND市占率从2025年的8%、12%提升至2027年的10%、15%。但长鑫存储恐优先供应HBM支持中国AI芯片发展，限制传统DRAM产能释放；长江存储在NAND领域或构成更大威胁（技术迭代对极紫外光微影设备依赖较低），但短期内对全球市场影响有限。  
伯恩斯坦提醒，存储器类股票波动率高，易受宏观风险与AI泡沫担忧影响，建议保持谨慎。尽管对DRAM持结构性乐观，对NAND相对悲观（需求永续性存疑）。整体看，存储器作为数据经济基石，超级周期仍有上涨空间，但需关注2026年后产能释放讯号——云服务商与AI项目需求明确，结构性逻辑不变，短期波动或加剧，投资者应紧盯财报与资本支出计划。