标准型DRAM利润反超HBM？三星与SK海力士战略分化引关注

在全球存储器行业经历“超级周期”的同时，一个令人意外的趋势正在浮现：曾被视为“传统业务”的标准型DRAM，其盈利能力正悄然超越被寄予厚望的高带宽存储器（HBM）。据韩国《朝鲜日报》援引机构数据显示，DDR5 16Gb颗粒价格已攀升至10美元中段，服务器用DDR5模组报价同步走高。若按每GB计算，当标准DRAM价格达到12–13美元区间时，与HBM4每GB约15美元的单价差距将显著缩小。更值得注意的是，外资投行瑞银近期发布报告指出，在2025至2026年间，标准型DRAM的毛利率可能暂时高于HBM——这一判断颠覆了市场对“AI存储=高利润”的普遍认知。
造成这一反转的核心原因在于成本结构差异。HBM虽售价高昂，但其制造涉及晶圆代工基础芯片、TSV硅通孔堆叠、CoWoS先进封装等复杂工序，不仅原材料成本高，且良率控制难度大，导致整体利润率受限。反观标准型DRAM，制程成熟、产线稳定，价格上涨可直接转化为利润提升。尤其在当前产能被大量挤占的背景下，智能手机、笔记本电脑、汽车电子等领域对通用存储器的需求持续旺盛，进一步强化了厂商的议价能力。有分析甚至预估，部分高端DDR5产品的营业利润率可达70%左右。在此背景下，三星电子采取了更为灵活的“产品组合策略”，在推进HBM4的同时，同步扩大GDDR7、LPDDR5X等标准及移动DRAM产能，以最大化整体收益。而SK海力士则坚持“All in HBM”路线，明确将新增EUV设备优先用于HBM及先进封装，彰显其巩固AI存储领导地位的战略决心。
市场对两种策略的成效已有初步评判。机构普遍预测，2026年三星电子营业利润有望达82万亿韩元，甚至上看100万亿；SK海力士则预计为74万亿，上限约90万亿。这一差距反映出：尽管HBM是赢得AI时代技术话语权的关键，但企业中短期业绩仍高度依赖标准型DRAM与NAND闪存的价格走势。换言之，AI浪潮固然重要，但消费电子、服务器、汽车等“传统”市场的基本盘，依然是存储器厂商利润的压舱石。未来，如何在战略前瞻性与财务稳健性之间取得平衡，将成为衡量存储巨头竞争力的新标尺。