三星发布10纳米以下DRAM关键技术，引领下一代制程演进

在存储器技术持续微缩的竞赛中，三星电子再次展现其研发实力。近日，三星电子与三星先进技术研究院（SAIT）在美国旧金山举行的国际电子元件会议（IEDM）上，公开了一项可实现10纳米以下DRAM制程的关键技术。该突破有望应用于未来的0a、0b代DRAM产品，进一步巩固三星在高端存储市场的技术领先地位。
随着AI服务器对内存带宽与能效要求不断提升，DRAM制程微缩已成为行业刚需。然而，进入10纳米以下节点后，电容缩小导致数据保持能力下降、漏电流增加等物理极限问题日益突出。三星此次公布的技术通过创新材料与三维结构设计，有效解决了微缩带来的可靠性挑战，为后续大规模量产奠定基础。分析认为，该技术将首先用于高带宽存储器（HBM4及后续版本），满足英伟达、AMD等AI芯片厂商对极致性能的需求。
此举也凸显三星在DRAM领域的长期战略布局。面对SK海力士在HBM市场的先发优势，三星正通过底层技术创新加速追赶。结合其在1γ DRAM制程上的投入，三星有望在2026-2027年实现从材料、设计到制造的全栈优化，重新夺回技术话语权。在全球存储器“超级周期”持续的背景下，谁能率先突破物理极限、实现更高密度与更低功耗的DRAM产品，谁就将在AI时代赢得更大市场份额与定价权。