路透社：国产EUV光刻机取得突破，半导体自主化进程加速

路透社消息称，中国已成功研发可实际运作的国产EUV原型机，进入测试验证阶段，最快2030年前实现EUV制程芯片流片，早于市场预期。该原型机能稳定产生13.5纳米极紫外光源，具备晶圆曝光能力，但尚未完成芯片流片，仍处于系统整合与可靠度测试阶段。研发中使用了旧款ASML EUV设备零组件（通过次级市场获取），体积与复杂度可比肩ASML现行High-NA EUV设备。  

主导项目的核心是华为。在美国出口管制下，华为正构建自主AI与先进半导体供应链，已在观澜设立7纳米制程半导体制造设施，全面接管硅晶生产链（材料、设备、设计、封测），被视为“以系统换时间”的垂直整合范例。下一步关键是解决解析度、产能稳定性及与现有制程整合等挑战。  

另有报道称，该计划被形容为“中国版曼哈顿计划”，由华为协调国家科研院所、供应商与工程团队（数千人参与）。若进展顺利，中国有望摆脱对西方EUV技术的依赖，为AI、智能手机等领域提供自主芯片支撑。