英特尔Fab 52产能规模超越台积电美国厂，先进制程布局显雄心

在美国推动半导体本土化的国家战略下，英特尔位于亚利桑那州奥科蒂洛园区的Fab 52晶圆厂已成为其重振制造业务的核心支点。根据CNBC与Tom's Hardware综合报道，Fab 52在技术先进性与产能规模上均已超越台积电位于美国的Fab 21第一期，并可与即将完工的第二期合计产能相抗衡。该厂专为Intel 18A及更先进制程设计，导入RibbonFET环绕式闸极晶体管与PowerVia背面供电技术，代表当前最前沿的逻辑芯片制造方向。其设计周产能达1万片晶圆（约合月产4万片），远超台积电单座美国厂约2万片的常规规模。
设备配置方面，Fab 52目前已部署至少4套阿斯麦（ASML）Low-NA EUV光刻机，包括最先进的NXE:3800E（每小时处理220片）与NXE:3600D（每小时160片），整个Silicon Desert园区EUV设备总数达15台以上，为未来扩产预留充足空间。然而，先进制程的复杂性也带来挑战：18A节点所需工艺步骤远多于中国台湾半导体厂台积电N4/N4P，且良率尚处爬坡初期，预计2027年初才达世界级水平。因此，Fab 52当前产能并未完全释放，部分处于闲置状态。相较之下，台积电美国厂采用已成熟的N4/N3制程，可快速实现近100%产能利用率。英特尔虽在硬件规模上领先，但能否将产能转化为客户信任与订单，仍是其代工战略成败的关键。