全球芯片产能格局深度解析：中美韩台（中国）日主导，专业化与混合制造并存

经济合作与发展组织（OECD）最新发布的《芯片版图：晶圆制造产能地理分布》报告揭示了全球半导体产能的高度集中与区域分工特征。截至2025年9月，中国大陆、中国台湾、韩国、日本和美国五大经济体合计占据全球在产晶圆产能的87%。其中，韩国产能高度集中于6纳米至22纳米以下先进节点，主要服务于三星与SK海力士的DRAM和NAND闪存生产；而美国产能则分布更均衡，覆盖从成熟到先进逻辑、模拟、功率等多种芯片类型。
按芯片类别划分，各地区优势鲜明：韩国在通用存储器（DRAM/NAND）领域遥遥领先，产能达458万片/月；中国台湾则在先进逻辑芯片（<20纳米）以155万片/月居首，并主导专用存储器生产；中国大陆在功率/分立器件、模拟芯片及成熟逻辑芯片（≥20纳米）三大领域均位列全球第一。未来产能扩张亦呈现差异化：美国重点加码先进逻辑与通用存储；中国大陆聚焦成熟逻辑与功率芯片；韩国则全力扩大HBM等高端存储产能。这种“各有所长”的格局，既反映历史积累，也体现各国在AI、新能源、汽车电子等新兴需求下的战略选择。
报告还深入分析了晶圆厂的“专业化”与“混合制造”模式。通用存储器与先进逻辑芯片晶圆厂高度专一——超过88%的存储器厂和96%的先进逻辑厂仅生产单一类型芯片，以追求极致效率与规模经济。相比之下，模拟、成熟逻辑及专用存储芯片则多由“混合型”晶圆厂生产，同一工厂可切换多种工艺技术，灵活应对市场需求波动。此外，商业模式差异显著：中国台湾与中国大陆超半数产能来自纯晶圆代工厂；而韩国、日本则以IDM（集成器件制造商）为主导，三星、SK海力士、铠侠等巨头自研自产。随着台积电、三星赴美日建厂，外资产能占比正逐步提升，全球半导体供应链在“区域化”与“多元化”双重趋势下，进入深度重构阶段。