SK海力士豪掷38.7亿美元赴美建2.5D封装产线，剑指AI芯片整合主导权

随着人工智能技术在全球范围内的迅猛发展，半导体产业的竞争重心正从单一芯片制造转向先进封装技术。在此背景下，韩国存储器巨头SK海力士近日宣布一项具有战略意义的重大投资：计划在美国印第安纳州西拉法叶建设其首条2.5D先进封装量产线，总投资高达38.7亿美元，预计于2028年下半年正式投产。此举不仅标志着SK海力士从高带宽存储器（HBM）供应商向系统级整合服务商的转型，更意在挑战台积电在AI芯片先进封装领域的垄断地位。
2.5D封装技术通过在芯片与基板之间插入“硅中介层”（Silicon Interposer），大幅缩短高性能图形处理器（GPU）或中央处理器（CPU）与HBM之间的信号传输距离，从而显著提升数据处理速度并降低功耗。当前，英伟达等AI芯片大厂的高端加速器均依赖该技术实现HBM与计算核心的高效集成。然而，目前全球90%以上的2.5D封装产能由台积电通过CoWoS平台掌控，形成事实上的技术壁垒。SK海力士若能成功建立自主封装能力，将可提供“HBM+封装”一站式解决方案，不仅提升交付稳定性、明确质量责任归属，更能在与客户谈判中掌握更大议价权。
SK海力士坦言，尽管其在韩国已具备2.5D封装的基础研发能力，但现有设施无法支撑大规模系统级封装（SiP）的量产需求，尤其难以满足英伟达等客户对AI加速器的高良率、高一致性要求。因此，公司正积极与封装合作伙伴协商，在美国新工厂部署完整量产线。这一布局不仅是响应客户需求的被动应对，更是主动抢占AI硬件生态关键节点的战略举措。一旦2028年工厂顺利投产，SK海力士将不再仅是存储器供应商，而有望成为掌握“存储+互联+封装”全栈能力的核心参与者。在全球AI供应链加速区域化、多元化的趋势下，SK海力士此举亦契合美国推动本土半导体制造的政策导向，为其争取政府补贴与长期订单奠定基础。未来，随着HBM4及更高世代产品的普及，先进封装将成为决定AI芯片性能上限的关键环节，SK海力士的提前卡位，或将重塑全球AI半导体产业格局。