内存缺货潮蔓延：2026年旗舰手机或涨15%

AI手机规格升级+HBM产能排挤，手机内存成本飙升
随着全球AI浪潮的持续发酵，半导体关键零组件“内存（DRAM与NAND Flash）”的价格涨势已成为整个科技圈关注的焦点。根据最新的产业观察，由于高带宽存储器（HBM）产能的严重排挤，以及AI手机对内存规格的强制升级，2026年新款旗舰手机的售价预计将面临10%至15%的明显调涨。在消费者预算压力增大的背景下，那些规格大幅跃进且价格相对亲民的“中阶手机”，有望在2026年脱颖而出，成为市场的宠儿。
市场研究显示，2025年底至2026年期间，内存价格受多重因素叠加影响持续走扬。首先，AI服务器对HBM的强劲需求，导致美光、三星、海力士等内存大厂将产能优先配置于高单价的HBM产品，进而排挤了传统行动装置内存的供给。这种“量价齐扬”的结果，直接反映在了手机的生产成本上，预估旗舰机种的物料清单（BOM）成本将显著增加，从而迫使手机厂商调升终端售价。
中阶手机或成“香饽饽”，性价比优势凸显
在旗舰手机因成本压力不得不涨价的同时，中阶手机市场则呈现出了另一番景象。为了应对市场变化，手机厂商正将更多的资源投入到中阶产品的研发与推广上，通过搭载次顶级的芯片、高刷新率屏幕、大容量内存等配置，打造出“高性价比”的形象。
对于消费者而言，在预算有限的情况下，中阶手机已足以满足绝大多数日常使用场景，包括轻度的AI应用（如智能语音助手、影像优化处理等）。机构预测，2026年中阶手机的销量占比将显著提升，成为消费者在“通胀时代”更为理性的首选。而对于手机厂商来说，谁能抓住这一波中阶市场的红利，谁就能在激烈的竞争中占据更有利的位置。