晶圆资源重分配：HBM成“产能黑洞”，挤压通用内存

HBM需求倍数增长，晶圆消耗是DDR5的三倍
2026年半导体产业供应紧张的关键，并不在于消费端需求的短期暴增，而是源自制造端无法突破的物理限制与资源错配，这一点在内存芯片领域表现得尤为明显。随着英伟达Blackwell与Rubin架构AI加速器的逐步量产，市场对HBM3E及下一代HBM4内存的需求正快速放大，呈现出近乎倍数增长的态势。
然而，HBM芯片的制造过程极为“吃”晶圆。据机构测算，单颗HBM芯片在制造过程中所消耗的晶圆面积，约为传统DDR5内存芯片的三倍。这意味着，每生产一颗HBM，就相当于少生产了三颗DDR5，这种“以一换三”的资源置换关系，使得供应压力被进一步几何级数地加剧。
良率瓶颈致“零和竞争”，每片HBM晶圆挤掉多片DDR5产能
HBM的扩产并非单纯增加几条产线就能解决。由于其制程高度复杂，涉及高难度的TSV（硅通孔）堆叠技术，对晶圆资源的占用程度远高于一般消费型内存。根据SK海力士与三星披露的制造资料，HBM4采用了多达12至16层的堆叠技术，且基础裸晶首次导入了代工厂的逻辑制程，技术整合难度极大。受限于技术成熟度，目前HBM4的整体良率仅约落在50%至60%的低位区间。
在这种低良率的背景下，为了生产出相同数量的可用HBM内存位，厂商必须投入远多于标准DRAM的晶圆数量，这便形成了所谓的“良率瓶颈”。这种产能被迫转移的结果，使得每一片用于生产HBM4的12寸晶圆，实际上等同于从全球DRAM供应中，排挤掉了多片原本可用于PC或手机内存的产能。然而，在晶圆厂短期无法大幅扩产的前提下，整个产业正陷入一场“无法双赢”的零和竞争——AI算力的提升，必须以牺牲消费级电子产品的内存供应为代价。