ASML CEO称中国光刻机技术至少落后八代

针对近期有关中国成功研发国产EUV光刻机的传闻，阿斯麦（ASML）首席执行官福克（Christophe Fouquet）在接受荷兰《电讯报》专访时明确表示，此类说法“缺乏事实依据”，并强调中国在EUV技术上“至少落后八个世代”。他指出，自八年前起中国便无法获得EUV设备，而半导体制程每代演进约需1至1.5年，长期技术断供已造成显著代际鸿沟。福克承认，中国在成熟制程与主流芯片领域确有进展，并正影响全球产业格局，但这与EUV所代表的尖端光刻技术存在本质差距。EUV涉及极紫外光源、精密光学系统、超洁净环境及复杂供应链整合，是数十年积累的成果，非短期资金投入可复制。他坦言，即便中国全力攻关，EUV突破“不是三年问题，更可能是十年挑战”。阿斯麦已就此与多国主管机关沟通，强调技术复杂性与开发周期，以澄清误解。此番表态再次印证，EUV仍是全球半导体产业最难以逾越的技术壁垒之一。