NOR闪存价格暴涨引关注，成熟制程产能错配催生结构性机会

原本供需相对平稳的NOR闪存市场，近期出现剧烈波动。受全球半导体资本开支过度集中于HBM、DDR5等AI相关高端产品影响，车用、工控、网络通信及消费电子所需的成熟制程产能被严重挤压，导致NOR闪存出现显著结构性缺口。供应链传出消息，2026年第一季度NOR闪存价格涨幅或达30%至100%。作为全球NOR闪存领导厂商，中国台湾半导体厂旺宏电子被视为最大受益者，其稳定产能与多元应用布局备受机构看好。分析师指出，即便如中国大陆FJJH等厂商宣布扩产19纳米DRAM，但新建产线从无尘室建设到设备验证至少需18至36个月，短期内无法缓解供需失衡。当前市场已进入“价高者得”阶段，拥有成熟产线的中国台湾存储器厂商正迎来难得的盈利窗口。在台湾存储器产业生态中，旺专注NOR闪存，南亚科与华邦电主攻DRAM（后者亦布局闪存），晶豪科、钰创等负责利基型内存设计，群联聚焦SSD控制芯片，力积电提供代工，南茂负责封测，至上则为关键通路商——整条产业链正因成熟产品涨价而集体受益。