AI驱动存储器价格狂飙 三星Q4利润预计暴增160%

人工智能热潮正强力拉动存储器需求，推动DRAM与高带宽存储器（HBM）价格飙升，助力三星电子迎来业绩强势反弹。据路透社援引数据，三星2025年第四季度营业利润预计达16.9万亿韩元，同比激增约160%，创2018年第三季度以来新高。
此轮增长源于AI服务器对高性能存储器的爆发性需求。数据中心加速部署AI训练集群，大幅拉高HBM和高端DDR5 DRAM订单。同时，厂商将产能优先转向AI相关芯片，压缩了传统DRAM供给，导致PC与智能手机领域也陷入紧缺。机构数据显示，2025年Q4部分DDR5 DRAM价格同比暴涨314%，传统DRAM合约价预计在2026年Q1再涨55%–60%。三星凭借全球最大DRAM产能，在此轮涨价周期中显著受益。
此前，三星因未能及时切入英伟达HBM供应链而落后于SK海力士。但经过一年技术攻坚，公司已赢得关键客户认可。共同执行长全永铉表示，客户对其下一代HBM芯片评价“极高”，并称“三星回来了”。市场普遍认为，三星正逐步恢复向英伟达等大厂供货，有望夺回高端市场份额。
然而，半导体业务的高利润并未惠及手机部门。DRAM等元器件成本大涨严重压缩移动业务毛利率。共同执行长卢泰文坦言，这种“上游涨价、下游承压”的局面前所未有，即便三星具备垂直整合优势，也难以完全规避影响。随着1月8日Q4财报临近，市场将聚焦其HBM扩产节奏、资本支出计划及价格策略。在AI需求持续支撑下，存储器高景气周期有望延续至2027年。