三星、SK海力士2026Q1 DRAM提价60%-70%，拒签长约引爆行业连锁反应

2026年全球存储器涨价潮已开启，三星与SK海力士打响第一枪。受AI产业爆发驱动，高带宽存储器（HBM）成核心资源，两家巨头将产能优先转向高利润的HBM3E/HBM4产品，导致传统服务器、PC、智能手机用通用DRAM产出不足，进而向大客户提出2026年第一季度DRAM报价上调60%-70%，其中服务器DRAM涨幅达70%，远超市场预期，引爆供应链。
此次涨价伴随合作模式重大转变：三星与SK海力士拒绝长约，坚持按季度签约，彰显对后续涨价的信心。两家企业全球DRAM市占率超70%，联合提价将引发行业传导效应，目前涨价压力已向手机、PC原厂转嫁，预计终端成本显著上升，或部分传导至消费端。
DRAM涨价本质是AI需求强劲与供应收缩的共同结果。数据显示，单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8倍，OpenAI等巨头锁定全球40% DRAM产能，需求刚性十足；供应端，三大原厂停止传统产品资本投入、缩减产能，叠加晶圆洁净室空间有限、新型内存良率低等因素，产能扩张受限。截至2025年末，DRAM和NAND库存仅3-4周，远低于正常水平，为涨价提供支撑。
提价盈利弹性已显现，市场上调两家巨头盈利预期：三星2026年营业利润预计123-155兆韩元，SK海力士有望突破100-148兆韩元。2025年第四季度，两家企业内存部门毛利率达63%-67%，超台积电指导值，七年来首次超越纯代工模式。中国台湾存储器厂商亦将受益，通用DRAM供应断层下，报价上涨将推升其ASP与盈利能力，2026年营收可期。
专家普遍认为，此次涨价并非短期现象，而是AI驱动的存储器超级周期开端。美银预测，2026-2027年DRAM开启最强超级周期，全球销售额将从2025年1303亿美元增至2026年2098亿美元（同比+61%），2027年达2314亿美元。机构预计，DRAM供需缺口贯穿2026年，供应约束持续至2027年。下游厂商需应对涨价压力、保障供应链稳定，而AI与存储器的深度绑定，将成半导体行业未来核心发展主线。