存储器进入“地狱级”缺货周期，涨价潮或将延续至2027年 ？

人工智能（AI）基础设施建设的迅猛推进，正将全球存储器市场推入一场史无前例的供应危机。当前，DRAM与NAND闪存已全面进入“地狱级缺货”状态，三星、SK海力士和美光三大原厂因产能受限、毛利率锁定在60%以上等因素，普遍采取克制扩产策略，导致市场供给严重不足。机构分析指出，此轮缺货并非短期波动，而是结构性供需失衡的集中体现，至少将持续贯穿整个2026年，甚至可能延续至2027年底。数据显示，2026年三星DRAM平均售价预计同比上涨84%，SK海力士约75%，NAND闪存平均售价涨幅亦高达71%。原厂库存仅维持4至5周，客户端库存也仅7至9周，整体市场几无缓冲余地。
本轮涨价的核心驱动力来自AI服务器的爆发式需求。大型云服务商自2025年下半年起密集锁定高带宽存储器（HBM）及服务器级DRAM产能，不仅推高了高端产品价格，更严重挤压了消费电子领域可分配的晶圆资源。Counterpoint Research报告指出，2025年第四季度存储芯片价格已整体上涨40%至50%，2026年第一季度预计再涨40%至50%，第二季度仍将上扬约20%。这标志着存储市场已正式迈入“超级牛市”，价格水平全面超越2018年历史高点。值得注意的是，此轮行情建立在2023至2024年长期去库存与主动减产的基础之上，并非简单补涨，而是产业周期的强势反转。
下游终端产品正承受巨大成本压力。智能手机方面，低阶机型物料成本自2025年中起已上涨约25%，中高阶机型涨幅达10%至15%；若2026年上半年存储价格累计翻倍，整机成本或再增8%至15%，迫使厂商调涨售价。笔记本电脑与台式机同样面临挑战，高阶DDR5内存单季涨幅近50%，部分品牌已开始下调标配容量或重新定价。然而，这种传导机制存在风险：若终端售价过高抑制消费意愿，可能导致需求回落，进而打破当前“缺货—涨价”的平衡，甚至重演供过于求的旧局。有分析师比喻当前局面如同“胆小鬼游戏”——各大原厂都在观望谁会率先扩产以抢占市场份额，但又担心过度投资引发新一轮价格崩盘。
存储器厂商的谨慎态度源于对2023年惨痛经历的深刻记忆。彼时产能过剩导致价格暴跌，美光、西数、希捷及SK海力士均陷入年度亏损。如今尽管财报亮眼——美光创下单季营收与利润新高，三星第四季度营业利益预计同比增长三倍——企业仍坚持“有纪律的扩张”。英伟达等芯片巨头加速产品迭代（如Rubin GPU带宽较Blackwell提升近三倍），进一步放大AI服务器对DRAM的需求。在此背景下，资本市场高度认可厂商的克制策略，2025年存储类股成为标普500表现最佳板块，西数旗下闪迪股价甚至飙升十倍。业界普遍认为，只要AI资本支出持续（2026年四大云厂商预计投入5230亿美元），这波上升周期有望延续多年。
市场对后市分歧初现。一方面，中国台湾地区存储封测厂华东总经理近期申报转让700张股票、套现约2000万元，引发部分投资者对高位风险的担忧；另一方面，主流投顾机构仍坚定看多，预估DRAM与NAND涨价趋势将延续至2027年，利基型产品如DDR3、SLC NAND及NOR Flash价格持续走强。华邦电2026年每股收益预期已上调至8.18元，目标价调升至108元。专家提醒，投资人需密切关注两大信号：一是是否有厂商启动实质性扩产，二是股票市场是否出现“高档放量不涨”或大股东持续减持。在此之前，存储器市场的热度恐难言退潮。