英伟达提升HBM4规格要求，逻辑裸晶成三星与SK海力士竞争关键

2026年初，英伟达对HBM4（第四代高带宽存储器）提出更高性能要求，将数据传输速率从原定的每针脚8–10Gbps大幅提升至11–13Gbps。这一调整看似微小，实则对存储器厂商构成严峻挑战，尤其凸显了“逻辑裸晶”在HBM架构中的核心地位。逻辑裸晶作为HBM堆叠中的控制芯片，负责管理高速数据流、调节功耗并抑制热噪声，其设计复杂度随速率提升呈指数级增长。因此，能否自主开发高性能逻辑裸晶，已成为决定HBM4量产进度与良率的关键。
在此轮技术竞赛中，三星展现出明显优势。凭借垂直整合能力，三星可自主设计逻辑裸晶，并在其3纳米GAA工艺平台上完成协同优化，已实现13Gbps速率验证，计划2026年下半年量产HBM4。相比之下，SK海力士完全依赖台积电代工逻辑裸晶，而后者当前产能高度倾斜于AI训练芯片等主力产品，对配套型裸晶扩产意愿有限，可能拖慢SK海力士的HBM4交付节奏。尽管如此，SK海力士已于2025年下半年与英伟达签署HBM4供应协议，并可通过加大HBM3E出货维持客户关系与营收稳定。
  此外，SK海力士在中国无锡的工厂受限于美国出口管制，难以快速引进EUV等先进设备，虽主要生产通用DRAM，但在HBM所需的TSV与混合键合等后道工艺上仍需与韩国总部紧密协同，增加了供应链复杂度。反观三星，在韩国平泽打造的“HBM超级工厂”实现了从晶圆制造到3D封装的全链路自主，响应速度和良率控制更具优势。三星半导体负责人全永铉公开表示对HBM4领先充满信心。业界普遍认为，随着AI模型对带宽需求持续攀升，逻辑裸晶已从“配角”升级为决定系统性能上限的“隐形引擎”，其设计能力将成为未来高端存储器竞争的核心分水岭。