ASML EUV光刻机：三十年磨一剑的精密奇迹

摩尔定律在2015年前后遭遇物理极限，深紫外光刻（DUV）无法继续缩小晶体管尺寸。关键时刻，极紫外光刻（EUV）技术破局而出。ASML历经三十余年研发，攻克了光源、镜面、真空环境等无数难题——其EUV光源每秒精准击中5万个高速锡滴，产生比太阳表面热40倍的等离子体；镜面光滑度达原子级，若放大至地球大小，最高凸起不超过一张扑克牌厚度。2016年首台商用EUV交付，如今已成为7纳米以下先进芯片制造的唯一选择。一台High-NA EUV重达180吨，需7架波音747运输，凝聚全球5000余家供应商智慧。正是这种极致工程，让ASML垄断全球EUV市场，成为半导体产业不可或缺的基石。目前，High-NA EUV已进入量产阶段，数值孔径从0.33提升至0.55，可支持2纳米及以下节点。台积电、三星、英特尔均已采购该设备，用于下一代AI与HPC芯片开发。