2026年存储器市场：AI驱动持续紧缺，DDR5涨势或趋缓

在人工智能（AI）浪潮的强力推动下，全球存储器产业正经历结构性重塑。据Tom's Hardware最新报道，到2026年，全球所生产的存储器中预计有高达70%将流向AI数据中心，用于支持大模型训练与推理所需的高带宽、大容量内存系统。这一趋势虽凸显了AI对高端存储技术的强劲拉动，却也导致传统应用领域的芯片供应日益紧张。汽车电子、智能电视、家用电器及消费类电子产品普遍依赖DDR3、DDR4等成熟制程存储器，但随着三星电子、SK海力士和美光三大原厂逐步缩减甚至停止DDR4产能，相关芯片的供给缺口正不断扩大，部分下游厂商已开始面临物料短缺甚至产线调整的压力。
这种供需失衡的影响正在向更广泛的半导体生态蔓延。日本《日经新闻》指出，若存储器价格持续高企或供应长期不足，智能手机与笔记本电脑制造商可能被迫下调出货目标，进而拖累中央处理器（CPU）、电源管理芯片等通用型半导体的复苏节奏。事实上，2025年第四季度已出现罕见现象——主流DRAM产品首次在月度大宗交易中未能及时公布合约报价，业内分析认为，这反映出原厂正优先保障AI服务器客户订单，对消费电子客户的分配需更长时间协调。在此背景下，中国台湾地区的南亚科、华邦电等厂商虽积极扩产，承接部分DDR4及低阶DDR5订单，但其整体产能规模仍远无法弥补国际大厂退出所留下的空缺，难以从根本上缓解全局性短缺。
值得关注的是，尽管整体DRAM价格仍处上行通道，但涨幅有望在2026年逐步趋缓。日本Minato Holdings社长相泽均表示，当前通用型DDR5模组的价格已逼近部分高带宽存储器（HBM）专用DRAM的水平，价格敏感度显著上升。机构预测，到2026年底，DDR5的大宗交易合约价较2025年底将上涨约30%至40%，虽维持强势，但相较2025年动辄50%以上的季度涨幅已明显收敛。这一变化一方面源于终端品牌通过优化产品配置、延长旧平台生命周期等方式对冲成本压力；另一方面也因HBM与DDR5在制造资源上的竞争趋于动态平衡——三大原厂正将更多10纳米级以下先进产能转向HBM，而中端DDR5则依赖成熟节点扩产，技术路径分化有助于缓解通用市场的极端紧缺。
展望未来，存储器市场将长期处于“高端紧缺、中低端承压”的双轨格局。AI需求不会减弱，反而随边缘计算与端侧智能兴起进一步下沉，对高性能、低功耗存储方案提出更高要求。与此同时，传统应用领域亟需建立更稳定的成熟制程供应链，避免因一颗小容量DRAM导致整机停产。对中国台湾地区厂商而言，这既是挑战也是机遇——通过深化与国际客户的代工合作、加速导入1X纳米制程，并聚焦车用、工业等高可靠性细分市场，或可在新一轮产业洗牌中占据更有利位置。而在全球地缘政治与贸易政策不确定性加剧的背景下，构建多元、韧性、本地化的存储器供应体系，已成为各国科技战略的核心议题之一。