SK海力士突破PLC NAND技术瓶颈，高密度存储迈入新阶段

随着人工智能和大数据应用对存储容量提出更高要求，传统NAND闪存技术正面临物理极限挑战。从SLC到QLC（4bit/cell），虽然单位面积存储密度不断提升，但代价是读写速度下降、耐久性减弱及数据保持能力退化。而PLC（5bit/cell）因需区分32种电压状态、31个阈值电压，导致相邻状态电压差极小，极易受电子泄漏和干扰影响，错误率高、寿命短，长期无法实现商业化量产。在此背景下，SK海力士于2026年成功开发“4D 2.0 PLC NAND闪存”，采用创新的Multi Site Cell（MSC）架构，将单个存储单元物理分割为两个独立子单元，每个子单元仅需支持6种状态（5个阈值电压），组合后即可覆盖PLC所需的全部32种状态。
这一设计大幅降低电压复杂度，显著提升信号识别余裕度。实测显示，基于MSC的PLC SSD在容量上较QLC提升约25%，同时读写性能接近TLC水平，耐久性远优于QLC。更重要的是，该技术具备良好扩展性——若将每个子单元状态增至8种，即可实现6-bit HLC（六层单元），容量再增50%。配合200层以上3D堆叠，单条M.2固态硬盘容量突破128TB已非遥不可及。目前SK海力士已完成工程样品验证，正优化制程经济性，预计2027年进入小批量试产。三星、美光、铠侠等厂商也在推进类似多单元分割技术。随着AI服务器对高密度、低延迟存储需求激增，PLC/HLC有望率先在数据中心落地，并逐步渗透至高端笔记本电脑和工作站。