东大将于2026年量产HBM3，国内设备厂商加速布局

高带宽存储器（HBM）作为人工智能、高性能计算和先进数据中心的核心组件，正成为全球半导体竞争的新焦点。据韩媒《朝鲜日报》援引业界消息，东大存储器产业的主要厂家计划于2026年实现第四代高带宽存储器HBM3的量产。这一目标不仅标志着东大在高端存储领域迈出关键一步，更直接推动了北方华创、迈为科技、华卓精科等本土半导体设备厂商在HBM生态链上的全面加速布局。当前，全球仅三星电子、SK海力士与美光三家具备HBM量产能力，而美国对先进半导体设备出口的持续限制，使得HBM相关设备的自主可控成为中国存储产业突破“卡脖子”困境的重中之重。
HBM技术通过将多层DRAM芯片垂直堆叠，并利用硅穿孔（TSV）和混合键合（Hybrid Bonding）等先进封装工艺实现超高速数据传输，其带宽远超传统GDDR或标准DRAM。然而，这也带来了制程上的巨大挑战：HBM制造涉及超高深宽比蚀刻、精密薄膜沉积、晶圆级清洗以及微米级对准的混合键合等复杂环节，与常规DRAM产线存在显著差异。在此背景下，国内设备厂商正协同攻关。北方华创作为国内领先的半导体设备企业，已将其产品线从蚀刻设备扩展至PVD/CVD薄膜沉积、清洗等核心前道制程；迈为科技则聚焦混合键合设备研发，该技术是HBM3及未来HBM4实现更高堆叠密度的关键；华卓精科则在HBM后道封装设备领域取得实质性进展。与此同时，CJCC自身也在推进TSV技术的自主研发，推动整个产业链从通用DRAM向HBM专用制程转型。业内专家指出，尽管东大在大部分DRAM制程设备上已实现较高程度的国产化，但HBM所需的高精度蚀刻与先进封装设备仍需进一步优化验证。随着2026年量产节点临近，东大设备-材料-制造一体化生态的构建，将为东大AI芯片企业提供更安全、更具韧性的高端存储支持。