部分原厂NAND产能转向先进制程 预计下半年1Tb NAND供应增加

随着人工智能与高性能计算对存储容量提出更高要求，全球NAND闪存产业正加速向大容量、高密度方向演进。2026年下半年起，包括SK海力士、铠侠/西数在内的主要存储原厂将陆续将产能切换至新一代先进制程，如SK海力士的V9架构与铠侠的BiCS8技术，推动单die 1Tb（太比特）NAND闪存的供应量显著增长。1Tb NAND意味着单颗芯片即可提供128GB存储空间，相较主流512Gb产品容量翻倍，可大幅降低SSD制造成本与物理尺寸，满足AI服务器、高端智能手机及轻薄笔记本电脑对高密度存储的迫切需求。目前，各大原厂正积极推动1Tb NAND在手机、PC及服务器等领域的客户认证工作，预计2026年第四季度起将逐步放量。
这一技术迁移虽有助于缓解长期容量压力，但短期内却可能加剧市场波动。先进制程切换涉及复杂的良率爬坡与设备调试，往往伴随“自然减产”效应，叠加原厂主动将资源倾斜至高利润HBM与企业级SSD，导致通用型NAND供给持续吃紧。与此同时，中国本土厂商如CJCC也在快速提升产能，市场竞争格局日趋复杂。未来，1Tb NAND的普及将重塑产品结构——QLC与PLC等高密度技术将依托大容量die实现更高性价比，而TLC则聚焦高性能场景。对终端用户而言，大容量SSD价格有望在2027年后随1Tb NAND规模量产而趋稳，但在过渡期内，仍需面对供应紧张与价格高位的双重挑战。这场由制程升级驱动的产业变革，既是技术进步的必然，也是AI时代对存储基础设施提出的全新考题。