三星加速推进HBM4E开发，客制化成下一代竞争核心

在全球人工智能基础设施建设如火如荼的推动下，高带宽存储器（HBM）技术迭代速度持续加快。据韩国媒体《The Elec》报道，三星电子已正式完成第七代HBM产品——HBM4E的基底晶粒（base die）前端逻辑设计，并全面启动后段实体电路布局与布线工作，标志着该产品距离实际投片又迈出关键一步。作为HBM模组最底层的核心组件，基底晶粒不仅负责管理上层堆叠DRAM芯片的数据读写、错误校正与信号完整性，更在AI时代被赋予更多系统级功能，需根据英伟达、谷歌、Meta等大型客户的特定架构需求进行深度定制，其复杂度与技术门槛远超以往。
此次HBM4E开发进程的提速，反映出三星正全面调整其HBM产品战略。公司已要求供应链伙伴于2026年3月前提交配套供应方案，并重新规划涵盖HBM4、HBM4E及HBM5的全世代路线图。值得注意的是，自HBM4E起，三星将大幅提高客制化比重，由专门团队服务顶级AI客户，甚至扩编原HBM4 1c纳米制程的核心研发人员接手后续设计。该团队由内存接口电路专家Daihyun Lim副总裁领衔，其曾任职IBM与格罗方德，2023年加入三星后主导I/O优化。与此同时，三星正同步升级EDA工具链，以支持更复杂的物理验证与功耗分析。按计划，HBM4E将于2027年量产，而面向2029年的HBM5已在预研阶段。这一双轨并行策略——标准品保基本盘、客制品抢高端份额——凸显HBM市场正从“通用规格竞争”转向“系统协同设计”新阶段，基底晶粒的定制能力将成为决定厂商能否切入头部AI客户供应链的关键壁垒。