HBM技术竞赛白热化：三星加速推进HBM4E，客制化成新战场

在通用存储器价格飙升的同时，高带宽存储器（HBM）作为AI芯片的核心配套，正成为全球半导体巨头技术竞争的最前沿。据《The Elec》报道，三星电子第七代HBM4E开发取得关键进展——其基底晶粒（base die）前段设计已完成，正式进入后段实体设计阶段。基底晶粒位于HBM模组最底层，负责管理上层堆叠DRAM的数据读写、错误修正与信号稳定性，是决定整体性能与可靠性的核心。随着AI客户对系统架构定制化需求激增，基底晶粒已从单纯控制单元演变为集成复杂逻辑功能的关键模块。后段设计涉及物理电路布局与布线，完成后将交由晶圆厂投片，标志着产品距离量产又近一步。
三星近期已重新拟定HBM产品开发蓝图，要求供应链于2026年3月前提交供应规划，涵盖HBM4、HBM4E与HBM5的开发时程。自HBM4起，三星采取双轨研发模式：标准型产品面向广泛市场，客制化团队则专攻Google、Meta与英伟达等头部AI客户，并已扩编。据悉，HBM4E由原HBM4 1c纳米制程团队主导，预计2027年推出；HBM5则瞄准2029年。更令人瞩目的是，路透社与《韩国经济日报》均引述消息人士称，三星HBM4已通过英伟达与AMD的质量验证，将于2026年2月开始量产出货。这一进展显示三星在HBM领域正急起直追——此前SK海力士凭借HBM3E占据先机，但三星凭借客制化能力与制程协同优势，有望在HBM4E时代夺回部分份额。值得注意的是，HBM制造极为“耗产能”：同等晶圆面积下，HBM产出位数仅为标准DRAM的三分之一。三大原厂将产能优先转向HBM，直接导致服务器DDR5与消费级内存供应紧张，形成“AI吃掉七成内存产能”的局面。机构普遍预期，此轮供需失衡至少将持续至2027年底，甚至延至2028年，只要AI投资不退潮，存储器龙头的故事就远未结束。