存储器价格飙升,三星消费级DRAM与SSD两个月内翻倍
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-01-27
近期,韩国多家主流媒体报道指出,三星电子面向消费市场的动态随机存取存储器(DRAM)及固态硬盘(SSD)价格在过去短短两个月内出现惊人涨幅,部分产品价格已翻倍甚至更高。这一轮涨价潮不仅反映出全球存储器供应链的深度紧张,也预示着2026年上半年终端电子产品成本将持续承压。以DDR5 16GB-5600台式机内存条为例,其韩元售价从2024年11月的约15万韩元(折合约103.5美元)一路飙升至2025年1月下旬的逾40万韩元(约276.1美元),涨幅接近170%。与此同时,T7系列1TB移动固态硬盘的价格也从14万韩元上涨至超过28万韩元,几乎翻番。更严峻的是,目前市场上1TB和2TB容量的主流SSD型号已难以批量采购,部分渠道甚至出现断货现象。
造成此轮价格暴涨的核心原因在于库存水平急剧下降与需求端结构性回升的双重作用。据业内消息,三星电子当前的DRAM库存仅能支撑约6周的出货量,远低于行业正常水平的10至12周,库存水位已跌至近年来最低点之一。一方面,人工智能服务器、高性能计算设备对高带宽存储器(HBM)的需求激增,促使存储器厂商将产能优先转向高利润产品;另一方面,消费电子市场在经历长期去库存后,于2024年底开始温和复苏,叠加智能手机、笔记本电脑新品发布周期带动备货需求,进一步加剧了通用DRAM与NAND闪存的供需失衡。值得注意的是,此次涨价并非孤立事件,而是全球存储器产业进入新一轮上行周期的标志性信号。机构预测,2025年第一季度NAND闪存价格将继续大幅上涨,而DRAM价格在服务器与PC需求共振下,短期内难有回调空间。
造成此轮价格暴涨的核心原因在于库存水平急剧下降与需求端结构性回升的双重作用。据业内消息,三星电子当前的DRAM库存仅能支撑约6周的出货量,远低于行业正常水平的10至12周,库存水位已跌至近年来最低点之一。一方面,人工智能服务器、高性能计算设备对高带宽存储器(HBM)的需求激增,促使存储器厂商将产能优先转向高利润产品;另一方面,消费电子市场在经历长期去库存后,于2024年底开始温和复苏,叠加智能手机、笔记本电脑新品发布周期带动备货需求,进一步加剧了通用DRAM与NAND闪存的供需失衡。值得注意的是,此次涨价并非孤立事件,而是全球存储器产业进入新一轮上行周期的标志性信号。机构预测,2025年第一季度NAND闪存价格将继续大幅上涨,而DRAM价格在服务器与PC需求共振下,短期内难有回调空间。






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