英特尔多路径重返存储赛道，铠侠QLC UFS 4.1引领终端存储革新

  英特尔正以非传统方式重返高端DRAM领域。一方面，其与桑迪亚国家实验室合作开发“下一代DRAM键合”（NGDB）技术，突破HBM容量限制；另一方面，联合软银成立Saimemory公司，研发低功耗堆叠DRAM，目标单芯片512GB、功耗降50%、成本为HBM的60%，直击AI数据中心电力瓶颈；此外，其eDRAM技术也在边缘AI场景中重获重视。这些布局显示，英特尔不再追求大规模制造，而是以架构创新和系统整合争夺话语权。尽管面临专利与生态壁垒，但其在能效与兼容性上的差异化路线，已在中小AI服务器、自动驾驶等领域展现潜力。未来存储竞争是架构、功耗与生态的复合博弈，英特尔正试图在异构计算时代重新定义角色。
  与此同时，终端存储也在革新。铠侠推出全球首款QLC UFS 4.1嵌入式闪存，基于第八代BiCS FLASH，提供512GB/1TB容量，随机读写速度分别提升90%和95%，封装更小。通过先进纠错与WriteBooster技术，QLC已能满足移动设备高负载需求。该产品不仅适配高端折叠屏手机，还将支持端侧AI、AR/VR等场景。随着生成式AI向终端下沉，高密度UFS成为运行本地模型的必要基础。在“云-边-端”协同架构下，从HBM到UFS，存储器正全面升级为智能计算核心支柱，技术创新者将在这一万亿级市场赢得先机。