美光铠侠激进扩产NAND埋下隐忧，三星SK海力士谨慎布局规避周期性风险

在DRAM市场高歌猛进的同时，NAND闪存领域却呈现出截然不同的战略分化。美光与铠侠作为全球前四大NAND制造商中的两家，正采取激进扩张策略：美光宣布在新加坡投资240亿美元扩建洁净室，并计划2028年投产新厂；同时其在美国纽约的千亿美元级晶圆厂项目持续推进。铠侠则在日本岩手县北上工厂第二产线全面投产，并加大三重县四日市基地投资，计划将2025年NAND产量提升至482万片。二者均押注AI服务器对高密度企业级固态硬盘（SSD）的长期需求。然而，三星电子与SK海力士对此保持高度谨慎——前者未显著增加NAND资本开支，后者则将资源集中于DRAM与HBM。这种战略差异源于对中长期市场风险的深刻认知：尽管当前AI基础设施拉动高性能NAND需求，但一旦美光、铠侠及中国厂商产能集中释放，叠加消费电子复苏乏力，NAND市场极可能重现供过于求局面，引发价格战与利润率下滑。三星内部人士坦言：“即使短期景气，仍需警惕多供应商竞争与中国NAND厂商崛起带来的下行风险。”机构分析指出，当前NAND扩产潮虽由AI需求、价格回暖预期及技术升级共同驱动，但若2026–2027年供给缺口未能如期弥合，过剩产能将对行业造成冲击。韩国双雄选择聚焦高毛利、高壁垒的HBM与DDR5，以规避NAND市场的周期性波动，这一策略或将决定未来三年全球存储产业的利润分配格局。