中国台湾存储器股冲高回落，高利润驱动厂商加速扩产

2026年初，受人工智能应用全面扩张带动，全球存储器市场持续供不应求，DRAM与闪存价格大幅上涨，推动中国台湾地区相关股票集体飙升。旺宏、南亚科、华邦电等厂商早盘强势上攻，其中旺宏一度涨停至92.1元台币，南亚科突破313元历史高点，华邦电亦冲上136元新高。然而，随着短线获利了结压力集中释放，多只个股迅速由红翻黑，力积电更从69.5元高点回落至63.3元，振幅超过9%。内存模组厂如威刚、十铨等同样出现7%至10%的剧烈波动。这一“冲高回落”走势，反映出市场在乐观基本面与短期估值过热之间的博弈，也标志着存储器板块进入阶段性整固阶段。

此轮行情的核心驱动力来自AI服务器对高性能存储芯片的爆发性需求。机构数据显示，2026年第一季度通用DRAM合约价预计季增55%至60%，NAND闪存涨幅亦达33%至38%。由于三星、SK海力士与美光三大原厂已基本退出DDR4生产，转而全力投入DDR5及高带宽内存（HBM），导致成熟制程供应严重短缺，仅由中国台湾南亚科等少数厂商支撑，难以满足PC、消费电子等传统领域需求。2025年11月至12月，DDR4 8Gb批发价较9月暴涨40%，达6.36美元，甚至出现月度合约价“难产”的异常现象，凸显供需失衡之严峻。

面对空前景气，存储器厂商纷纷启动扩产计划。SK海力士已将2027年初1c DRAM（第六代10纳米级）月产能目标从9万片晶圆大幅提升至17万至20万片，并计划将M16工厂的1a/1b产线全面转为1c制程，以同时满足消费级DRAM与HBM4制造需求。三星则凭借11.7Gbps HBM4技术重返竞争前列，2024年第四季度半导体营业利润达16.4万亿韩元，创历史新高。美光与铠侠亦加速布局NAND闪存，前者在新加坡扩建洁净室并推进纽约千亿美元晶圆厂项目，后者在日本北上与四日市基地同步扩产，2025年NAND产量目标提升至482万片。尽管三星与SK海力士对NAND扩产相对谨慎，但整体行业资本开支明显加码，显示厂商正全力把握AI驱动的超级周期。

在此背景下，中国台湾存储器产业链凭借前瞻性的库存布局，正迎来显著红利。机构调查显示，南亚科、华邦电、群联与威刚四家主要厂商截至近期的库存金额分别达320.6亿元、253亿元、315亿元与270亿元新台币，合计突破千亿元大关。这些库存多以较低成本建立，在当前市场价格大幅上涨的环境下，不仅有效缓冲了成本压力，更成为其议价与出货的重要筹码。尤其在原厂供货紧缩之际，拥有充足现货的本地厂商得以快速响应客户需求，抢占市场份额。宜鼎表示，其DRAM与NAND库存维持在一季以上安全水位，2025年DDR5营收占比约20%，今年将通过开拓工控、网络通信及边缘AI客户，力争中长期提升至30%–40%。公司强调，主要客户更看重产品稳定性与长期供应保障，而非单纯低价，因此定价以成本转嫁、维持固定毛利为主，未参与现货市场投机。值得注意的是，宜鼎明确表示暂不导入中国大陆颗粒，主因客户要求及验证资源有限，研发重心仍聚焦高附加值应用。

与此同时，供应链紧张已蔓延至终端消费场景。海外零售商好市多（Costco）被曝在其展示用笔记本电脑中主动移除内存条甚至图形处理器，以防被盗。多位消费者证实，沃尔玛等卖场也采取类似措施。这一极端做法折射出当前存储芯片的高价值与稀缺性——单台演示机中的内存与显卡黑市价值可达数百美元。这种“裸机展示”虽影响体验，却是零售端在缺货环境下的无奈之举。

值得警惕的是，火热行情下亦潜藏风险。深圳水贝近期爆发的黄金平台“跑路”事件，警示类期货私盘模式在价格剧烈波动时极易崩盘。当前存储器市场同样存在非正规渠道以“预订囤货”“价格对赌”等方式吸引散户参与，一旦价格回调或流动性枯竭，恐重演类似风险。监管层与投资者需保持清醒，区分真实产业需求与投机泡沫。

总体而言，本轮存储器上涨并非短期脉冲，而是由AI基础设施建设驱动的结构性牛市。尽管股价短期震荡属正常修正，但只要数据中心扩建、边缘AI部署持续推进，且新增产能落地仍需时日（美光新厂预计2028年投产），存储器作为数字时代“新石油”的战略地位将持续强化。对中国厂商而言，能否在技术升级、客户结构优化与产能弹性之间取得平衡，将是穿越周期、实现可持续增长的关键。