三星、SK海力士加速扩产高端NAND，拟月增产4-5万片晶圆应对AI需求

在人工智能应用快速落地的推动下，全球对高性能存储的需求持续攀升。曾因资源向DRAM倾斜而多次推迟的尖端NAND扩产计划，如今在三星电子与SK海力士内部全面重启。据韩媒报道，两家公司已确定于2026年第二季度启动针对第9代3D NAND（V9）的“转换投资”，以缓解日益紧张的供应局面。
三星自2024年9月率先量产280层V9 NAND，但初期仅在韩国平泽小规模投产，月产能约1.5万片晶圆。随着AI服务器和数据中心对高密度闪存需求激增，三星正将扩产重心转向中国西安X2工厂，计划将其从旧世代NAND产线全面转为V9生产。业内预估，此次转换规模达月产4万至5万片晶圆，配合平泽P1厂区的同步投入，2027年起V9产能将显著提升。
SK海力士则聚焦321层技术——目前业界最高层数之一，计划在清州M15工厂将V9月产能从2万片增至3万片。尽管增幅看似有限，但在设备交付周期长、工艺复杂度高的背景下，已是重大加码。此举也凸显其在3D NAND微缩路径上的领先策略。
过去数年，两大韩厂资本开支几乎全部投向HBM和先进DRAM，导致NAND产能增长停滞。然而，AI推理、边缘计算及智能终端的兴起，正强力拉动企业级SSD和高能效闪存需求。机构指出，2026年数据中心或将消耗全球近七成NAND产能，传统消费电子领域面临严重挤出效应。
尽管CJCC（长江存储）等中国厂商也在推进200层以上NAND量产，但其产能主要服务本土市场，短期内难改全球供需格局。因此，三星与SK海力士的扩产，成为稳定高端供应链的关键举措。
不过，先进NAND制造依赖阿斯麦EUV及精密刻蚀设备，交期普遍超一年，且300层以上堆叠良率爬坡难度大，实际产能释放仍需时间。综合来看，本轮扩产是AI基础设施建设的必然延伸，而非短期周期反弹。预计2027年前，高端NAND仍将维持紧平衡，价格高位运行态势难改。