中国存储新势力崛起，HBM技术成高端竞争主战场

在全球DRAM市场，三星电子、SK海力士与美光三巨头合计占据超九成份额，真正的竞争焦点已从通用DRAM转向AI核心所需的高频宽存储器（HBM）。韩国业界普遍认为，HBM制造不仅是产能规模的比拼，更是长期与一线客户协作、将极端复杂制程转化为稳定量产能力的综合较量。中国厂商CXCC虽成立十余年，到2025年才首次实现盈利，全球DRAM市占率约4%，但其追赶速度正在加快——目前已对外宣示量产DDR5与LPDDR5X，并计划切入HBM3等级产品。然而，HBM被公认为存储器制造中门槛最高的领域，韩国已在量产HBM3E并推进HBM4，而中国仍卡在堆叠精度、热管理与稳定良率等关键技术细节上，短期难以靠资金投入速成。
与此同时，CJCC凭借独创的Xtacking架构，在NAND领域实现快速超车。该技术将存储单元与逻辑电路分开制造再键合，有效规避先进制程限制，目前已量产270层3D NAND，直追三星（286层）与SK海力士（321层）。其武汉三期工厂提前至2026年下半年量产，目标年底月产能30万片，市占率冲刺15%。不过，中国台湾地区存储产业走出差异化路径：依托台积电晶圆代工与群联控制芯片设计优势，聚焦利基型市场与AI新赛道。茂达受益于DDR5 PMIC集成、志圣切入HBM热处理设备、创意掌握HBM4 PHY IP、世芯-KY主导AI ASIC设计，形成“不拼层数、专攻生态”的独特竞争力。在存储器产业从“存储”向“算力”转型的2026年，真正的赢家或许不是单纯扩产者，而是能深度融入AI硬件生态的创新参与者。