Intel携手SAIMEMORY开发下一代内存技术

为了突破现有高带宽存储器（HBM）的物理限制，Intel宣布与SoftBank旗下子公司SAIMEMORY签署合作协议，双方将共同推动名为“Z-Angle Memory”（简称ZAM计划）的新型内存技术，目标是在AI与高效能运算（HPC）领域创造出比现有HBM更强大、更省电的下一代内存标准。
SAIMEMORY总部位于日本东京，核心技术在于开发一种全新的堆叠式DRAM架构。当前AI服务器主流使用的HBM虽然带宽高，但在封装难度与功耗上仍有瓶颈。SAIMEMORY的新架构标榜在性能上将超越现有的HBM标准，不仅能大幅提升内存容量，更能显著降低功耗，并改进封装能力，解决AI系统扩展过程中的内存墙问题。
在此次合作中，Intel将担任技术、创新及标准化的合作伙伴，利用其制程与封装优势协助开发；而SAIMEMORY则负责提供技术创新，并主导ZAM技术的后续商用化推进发展。国家级技术背书，预计2027推出原型设计。这项技术源自于美国能源部（DOE）与国家核安全管理局（NNSA）发起的“先进内存技术”研发计划。Intel早前便在该计划资助下进行下一代DRAM键合（Next Generation DRAM Bonding, NGDB）的研究，并验证了堆叠式DRAM在低延迟与低能耗下的可行性。
英特尔院士Joshua Fryman直言：“标准内存架构已无法满足AI的需求”。他认为NGDB计划定义了一套全新方法，优化内存成本并提升性能。双方合作时间表如下：
- 2026年第一季度：正式启动运营。- 2027年：推出Z-Angle Memory原型产品。- 2030年：实现商用化量产。
这项合作案反映两个重要的产业趋势：“HBM的焦虑”与“美日科技联盟的深化”。首先，目前AI存储器市场几乎由SK海力士与三星主导，HBM的产能与良率直接掐住AI加速器的出货喉咙。Intel与SoftBank联手，显然是想跳过现有的HBM战场，直接押注下一代的3D DRAM堆叠技术。