力积电总经理：内存供给缺口延续至2026下半年

在存储器供需结构性失衡持续发酵的背景下，中国台湾晶圆代工企业力积电于2026年2月5日举行法说会，释放出多重积极信号。公司总经理朱宪国明确指出，受AI服务器对高端DRAM的强劲需求挤压，中低端DRAM产能被大幅排挤，导致DDR3、DDR4等利基型产品价格持续上涨；同时，韩系大厂退出SLC NAND闪存市场后，网络通信、工业控制及消费类应用需求未减，进一步推升合约价与现货价。在此环境下，力积电预计存储器供给缺口将延续至2026年下半年，12英寸与8英寸晶圆代工价格将持续调涨，其中8英寸代工因部分无尘室改装用于12英寸先进封装而产能吃紧，自3月起正式提价。
尤为引人注目的是，力积电宣布已与美光签署合作意向书，将分阶段转让铜锣厂，并获得美光HBM（高带宽存储器）后段晶圆制造（PWF）的代工订单。美光不仅预付设备款项支持力积电采购专用机台，更将其正式纳入先进封装供应链体系。朱宪国透露，双方正就最终合约细节磋商，预计农历年前完成签署。此次合作不仅是力积电转型为“AI专业代工厂”的关键一步，更将为其带来三重收益：一是获得约18亿美元现金；二是锁定长期代工订单；三是通过技术交流提升低功耗存储器制程能力。尽管HBM后段制造需经过试产验证，最快2027年才能贡献显著营收，但公司目标在两至三年内使该业务线贡献约20%的总营收，成为3D AI Foundry事业的核心增长引擎。
  在先进封装领域，力积电亦取得实质性进展。硅中间层（Silicon Interposer）需求持续升温，良率已达稳定量产水平，并已导入CoWoS-L、CoPoS等先进封装平台；Wafer-on-Wafer四层堆叠技术已通过一线大厂认证，预计2027年量产，八层堆叠正在开发中。这些技术将广泛应用于AI服务器、高性能计算及功率半导体领域。财务方面，力积电2025年第四季度实现营收124.95亿元，毛利率转正至6%，税后净亏损大幅收窄至6.54亿元，为近七季最佳表现；全年营收467.3亿元，虽受前三季拖累导致全年净亏78.13亿元，但公司通过费用控管与产品结构调整，已为景气回升奠定基础。展望未来，力积电将全面聚焦高附加值产品，包括3D AI DRAM、晶圆级封装、硅电容、GaN及PMIC等，深度绑定AI服务器与边缘计算生态，力争在新一轮技术周期中占据战略高地。