三星加速扩大HBM4 DRAM产能，应对AI芯片需求激增

为应对AI芯片厂商对高带宽存储器的爆发性需求，三星电子正大幅扩产HBM4 DRAM。韩媒报道，三星计划将其平泽P4厂区新建产线月产能提升至12万片晶圆，整体HBM4相关产能有望占其DRAM总产能的四分之一。该产线预计2024年Q1投产，配合平泽S5的4纳米Base Die产线，形成完整HBM4制造体系。此举旨在巩固其在AI存储市场的领先地位，并满足英伟达、AMD等客户对下一代AI加速器的配套需求。
当前，AI服务器对HBM的需求呈指数级增长，推动存储器厂商战略重心全面转向高端产品。三星此次扩产不仅是产能提升，更是技术与生态的深度布局。相比传统DRAM，HBM4具备更高带宽、更低功耗，是大模型训练不可或缺的硬件基础。随着全球数据中心加速部署AI基础设施，HBM已成为半导体价值链中最关键的环节之一。三星通过提前卡位，不仅锁定高毛利订单，也为未来三年的营收增长奠定坚实基础。