疯涨近9成！存储器价格创历史新高，高通也受波及

机构2月发布的《Memory Price Tracker》报告显示，2026年第一季全球存储器价格较2025年第四季暴涨80%至90%，直接创下历史新高，其中DRAM和NAND两大核心品类同步大涨，成为本轮涨价潮的核心推手。
此波价格疯涨的主要原因的是通用型服务器DRAM价格的大幅攀升。数据显示，服务器用64GB RDIMM固定合约价，已从2025年第四季的450美元，飙升至2026年第一季的900美元以上，近乎翻倍，市场普遍预期，今年第二季这一价格还可能突破1000美元大关。
不仅DRAM表现强势，原本在2025年第四季价格相对平稳的NAND，今年第一季也迎来同步暴涨，涨幅同样达到80%至90%；再加上部分HBM3e产品价格上调，带动整个存储器产品线全面上行，清晰反映出市场供需结构已发生明显转变。值得一提的是，受存储器涨价带动，部分内存模组大厂1月营收年增达233%，股价逆势涨停，表现十分亮眼。
机构资深分析师指出，随着零部件成本持续上涨，叠加消费者购买力趋于保守，终端设备需求在季度后段可能面临压力。在此背景下，OEM厂商正重新调整采购策略，倾向于优化产品组合，转向高端机型，以此支撑整体售价和毛利水平。
智能手机市场的变化尤为明显。为应对存储器成本的快速攀升，品牌厂商已开始采取多种控本措施，要么降低设备的DRAM配置容量，要么用成本更低的QLC SSD取代TLC SSD。同时，由于LPDDR4供应持续吃紧，其订单量呈现下滑趋势；与之相反，随着支持最新DRAM规格的新一代入门级芯片平台陆续推出，LPDDR5的市场需求持续升温。
该分析师进一步表示，2025年第四季DRAM营业利益率已达到约60%，首次超越HBM产品；展望2026年第一季，DRAM毛利率有望再创新高，成为推动存储器制造商整体获利提升的核心引擎。机构也明确预测，今年首季存储器制造商营业利益率将创下历史新高，行业盈利水平迎来全面提升。
存储器价格暴涨和供应紧张，也对手机芯片厂商造成了明显冲击。花旗研报指出，高通交出逊于预期的3月底止次财季业绩指引后，股价下跌10%，而这一表现主要归因于传统DRAM组件供应不足，尤其在中国低端安卓市场，供应缺口更为突出。
花旗预测，受存储器供应限制、季节性因素，以及苹果增加调制解调器芯片自研比例的影响，高通手机芯片销售将出现按季下滑，这一趋势可能持续至9月底止的末财季。同时，花旗认为，高通目前约12倍的市盈率，低于3至5年平均水平的14倍，这一估值也反映出其约73%的业务集中在手机领域的现状。
此外，花旗表示，期待高通在投资者日期间，能披露数据中心芯片及客户进展的最新信息。基于对高通手机销售预期的下调，该行已将高通2026及27财年每股盈利预测分别下调13%、12%，并以14倍市盈率（三年平均）及修正后的2027年每股盈利预测为依据，将其目标价从180美元降至140美元，维持中性评级。值得注意的是，本轮DRAM价格暴涨背后，还与厂商将部分DRAM产能转向高附加值的HBM生产有关，进一步加剧了通用DRAM的供应紧张态势。