存储器已成战略物资:AI驱动结构性紧缺,十年缺货周期开启?
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-02-10
存储器已成战略物资:AI驱动结构性紧缺,十年缺货周期开启?
潘健成直言:“NAND闪存缺货可能持续十年
当前,AI数据中心对HBM、DDR5及企业级SSD的需求已进入“价格不敏感”阶段,原厂自然将稀缺产能集中于高毛利产品。以服务器DRAM为例,2026年第一季度通用型64GB RDIMM合约价已从2025年第四季度的450美元飙升至900美元以上,涨幅近100%,第二季度有望突破1000美元。这种由供给端主导的定价权,标志着存储器已从普通电子元件升级为战略级资源。即便美光在英伟达首波HBM4供应中份额有限,其凭借服务器DIMM价格暴涨带来的丰厚利润,整体获利能力反而显著增强。
消费电子领域则陷入“被排挤”的困境。由于三大存储原厂将资本开支与工程资源全面转向AI与企业级市场,传统消费类DRAM与NAND供给持续萎缩。更雪上加霜的是,美光已宣布自2026年2月起退出Crucial消费渠道业务,彻底转向数据中心等高价值市场。这一举措令长期依赖其供应的中国台湾地区PC与笔记本品牌如宏碁、华硕、戴尔、惠普等面临断链风险。为保障产品交付,这些厂商正评估导入CXCC的DRAM芯片。在产能极度紧张的当下,能否拿到货,已比用哪家的货更重要。
展望未来,这轮紧缺并非短期周期波动,而是一场可能持续十年的结构性短缺。中国台湾群联电子董事长潘健成直言:“NAND闪存缺货可能持续十年。”他解释,过去数年原厂因盈利低迷大幅缩减资本支出,如今虽需求暴增,但新建产线需两年以上才能释放产能,而AI与边缘计算带来的数据存储需求却永无止境。与此同时,SSD加速替代传统硬盘,进一步推高NAND消耗。尽管CJCC传出扩产消息,但其产能主要用于满足庞大的中国大陆内需,且重心偏向3D NAND技术迭代,对缓解全球近20%的供给缺口作用有限。
更深层的瓶颈正在显现:先进封装所需的载板产能日益吃紧,连LPDDR5低容量型号都开始进入停产评估阶段。这表明,整个产业链的交付上限已被物理约束所锁定。在此背景下,原厂只会更坚定地将资源倾斜给单位产出效益最高的AI相关产品。机构预测,DRAM与NAND的供不应求局面将持续至2027年,价格高位运行已成新常态。
投资者应清醒认识到,今日的存储器市场已非昔日周期性行业,而是由AI算力基建驱动的战略赛道。胜负关键不再取决于对现货价格的短期博弈,而在于能否把握合约定价权、产能分配逻辑与供给端的战略优势。在这场长达十年的结构性通胀循环中,站在供给上风者,方能赢得未来。






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