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存储器价格飙涨八成,AI挤占产能致消费级市场全面承压,内存价格为何涨不停?

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2026-02-18
2026年初,全球存储器市场正经历一场由人工智能需求引爆的深度结构性短缺。市场研究机构Counterpoint最新报告显示,截至第一季度,全球存储器价格相较2025年第四季度末已暴涨80%至90%,无论是用于智能手机和笔记本电脑的移动端DRAM、NAND闪存,还是支撑AI算力的高带宽存储器(HBM),价格均刷新历史纪录。这场涨价潮不仅源于芯片本体成本飙升,更因后端封测环节同步承压——作为全球DRAM模组封测主力的中国台湾企业力成、华东与南茂,因产能利用率逼近极限,已相继宣布将封测报价上调最高达30%。这三大厂商承担着三星、SK海力士和美光等国际巨头产出颗粒的关键加工任务,其提价直接传导至下游终端制造商,形成“芯片贵、封测也贵”的双重打击。在此背景下,叠加全球消费者购买力阶段性减弱,市场需求面临明显放缓风险,多家主流品牌已开始下调2026年度出货目标以应对不确定性。
此轮短缺的核心动因,正是人工智能的爆发式增长。大语言模型与图像生成AI在训练和推理过程中需处理海量数据,对内存容量与带宽提出极致要求,导致英伟达等AI芯片厂商大量采购技术复杂、产能有限的HBM产品。为追逐更高利润,存储器三巨头纷纷将晶圆厂产能优先转向AI专用高端芯片,大幅压缩甚至暂停消费级产品供应。例如,美光已于2025年12月正式终止旗下广受欢迎的英睿达品牌消费级存储器业务,直接减少市场供给,“货少价高”成为常态。尽管业界呼吁扩产,但现实制约显著:现有晶圆厂早已满负荷运转,而新建产能周期长达数年,且2026年三星DRAM总产能仅计划微增约5%(约800万片晶圆),新增部分仍主要服务AI客户,对缓解消费电子短缺作用有限。此外,厂商亦吸取了过去数十年“盲目扩产—产能过剩—价格崩盘”的惨痛教训,此次普遍采取谨慎策略,避免重蹈覆辙。因此,在AI需求持续高烧、产能调配高度倾斜、扩产节奏保守的三重压力下,存储器高价局面大概率将贯穿2026全年,消费电子产业正面临前所未有的成本与供应链挑战。