三星与SK海力士加速扩产，全力应对AI驱动的存储器超级周期

面对人工智能（AI）浪潮带来的强劲需求，韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士正以前所未有的速度推进新工厂建设，将原本谨慎的产能策略转向积极扩张。据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士已决定将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原定2027年5月大幅提前至2026年2–3月；三星电子亦将平泽P4工厂的投产节点由2026年一季度提前至2025年四季度，整体进度压缩约三个月。此举标志着两家公司正全力押注本轮由AI数据中心引爆的“存储器超级周期”，力争在高性能DRAM与高带宽内存（HBM）市场中抢占先机。
新产线的核心任务是满足AI服务器对高端存储芯片的迫切需求。SK海力士计划在率先建成的洁净室内优先部署DDR5和HBM产品线；三星则明确将在P4工厂新建基于10纳米第六代（1c）工艺的HBM专用产线，月产能预计达10万至12万片晶圆。尽管产能扩张迅猛，但供需缺口依然显著。KB证券数据显示，截至2026年2月，主要客户内存芯片需求满足率仅约60%，其中服务器DRAM供应缺口更低于50%。花旗集团预测，2026年DRAM与NAND闪存的需求增速分别为20.1%和21.4%，均明显高于17.5%和16.5%的供给增速。机构普遍认为，此轮短缺将持续至2027年，为三星与SK海力士带来持续的价格上涨动力与利润空间。