存储器超级上行周期，国产存储器借势突围

AI浪潮引爆全球存储器市场，自2024年起，受益于AI驱动下DDR5 RDIMM、eSSD等高性能存储产品需求增长，全球存储行业进入新一轮上行周期，2025年9月以来DRAM、NAND价格全面上涨。国内存储器芯片产业借国产替代与技术突围东风同步崛起，不仅补充市场供给、平抑价格波动、减少进口依赖、强化供应链安全，更在政策与大基金三期加持下盈利前景明确，带动上游设备与材料需求；与此同时，半导体涨价潮向全行业扩散，功率、模拟芯片企业同步复苏，半导体设备作为核心上游迎来全面爆发机遇。

长期以来，全球DRAM、NAND Flash市场被三星、SK海力士、美光等巨头垄断，如今国内企业正借AI驱动的超级周期，通过技术突破与激进扩产打破格局。DRAM领域，CXCC作为国产龙头，2025年DRAM出货量增长超50%，市占率预计突破5%，完成DDR4/DDR5布局及服务器适配，在研CBA技术有望缩小与国际巨头代际差；其正于上海建设全新DRAM生产基地，规划产能达合肥总部的2至3倍，同步布局HBM产线，预计2027年量产，目前现有工厂已满载运转，扩产成为保障供应链安全的关键。

NAND Flash领域，CJCC表现亮眼，市占率从2023年5%跃升至2025年10%，年底有望突破12%，自研Xtacking技术构筑核心竞争力，消费级SSD已能与国际巨头抗衡；其武汉第三座晶圆厂建设提速，原定2027年投产，有望提前至2026年下半年，新厂50%产能将用于DRAM生产并联合开发HBM产品，逐步向综合性存储解决方案提供商转型。此外，兆易创新、江波龙等产业链企业多点开花，分别在NOR Flash、内存模组领域占据重要地位，深度适配AI与数据中心需求。

机构普遍看好行业前景，摩根士丹利预测DDR4短缺将延续至2027年，DRAM两年内供不应求；中银证券进一步预计，存储价格上涨趋势或将贯穿2026年全年。受益于此，模拟、功率芯片企业估值逐步修复，士兰微多条产线满负荷生产，盈利显著提升，印证行业复苏态势。

基金经理指出，AI算力投资核心是国产替代与自主可控，这一轮扩产潮恰逢全球存储器超级周期，AI服务器需求激增叠加国际大厂产能倾斜，通用型存储供应吃紧，此轮景气至少持续两年以上。CXCC申报科创板IPO拟募资295亿元，扩产动力充足，而存储芯片占集成电路比重约30%，其3D化发展将进一步放大设备市场空间。

随着DRAM、NAND架构向3D化方向发展，刻蚀、薄膜沉积设备等相关需求将显著提升，其中3D化驱动DRAM和NAND所对应的设备可服务市场大致为原来的1.7倍和1.8倍；东莞证券表示，以此为契机，北方华创、中微公司等内资企业有望逐步做大做强，其中中微公司2026年业绩可期，机构预测营收将破160亿元，净利润冲刺35亿元。半导体设备ETF权重股覆盖多领域龙头，设备相关占比近60%，将持续受益于行业景气周期。