紧急信号！SK海力士：存储器全面进入卖方市场，AI驱动价格持续上行

当前，SK海力士自身DRAM与NAND库存仅维持约4周，处于历史低位，并预计这一水平还将进一步下降。公司强调，全行业受洁净室空间、设备交付周期及先进制程良率等多重物理条件限制，短期内难以显著提升产能。面对紧张的供需形势，客户即便试图通过“重复下单”抢货，也难以获得额外配额——反而可能推高市场价格。因此，多数客户已转向务实策略，接受现实供应能力，甚至主动参与长期合约谈判以锁定未来资源。

AI成为本轮涨价最坚实支撑。英伟达、微软、Meta、谷歌等科技巨头持续推进大模型部署和AI数据中心建设，对高带宽内存（HBM）及高性能标准型DRAM的需求持续强劲。据机构测算，单台AI服务器所需DRAM容量已是传统服务器的3至5倍，而训练集群对HBM的依赖更使其成为战略级资源。SK海力士透露，2026年HBM产能已全部售罄，生产计划锁定完毕；而标准型DRAM因极度短缺，正成为公司在长期合约谈判中的关键筹码。公司正与主要客户就多年期供应协议展开讨论，以保障未来产能分配稳定，这标志着市场已从现货博弈转向“产能预订”时代。

技术演进方面，SK海力士2026年将聚焦1b纳米制程扩产，主要用于HBM3E和HBM4；而更先进的1c纳米工艺将大规模用于标准型DRAM迁移，预计年底超一半标准产品将采用该节点。HBM对1c纳米的大规模应用则要等到2027年HBM4E阶段。值得注意的是，1c纳米不仅提升位密度，还能降低功耗，对AI芯片能效比优化至关重要。

尽管需求旺盛，SK海力士仍严守资本开支纪律。2026年整体投资将高于去年，但重点集中于HBM与标准DRAM，NAND闪存仅恢复有限投入，用于推进321层3D NAND技术升级，其资本支出占比仍将维持在低双位数水平。此举反映出行业理性：在结构性短缺背景下，优先保障高毛利、高确定性产品，避免重蹈过去周期性过剩覆辙。

更深远的变化在于产业链协作模式的重塑。SK集团会长崔泰源近期密集访问美国，与英伟达、博通、微软、Meta、谷歌等企业高层会晤，核心目标已从单纯供货转向深度参与AI芯片设计。SK海力士正推动在AI加速器架构初期即嵌入其存储方案，包括为微软Maia 200、Meta MTIA及谷歌TPU定制HBM，强化技术绑定与生态话语权。这种“联合定义—协同验证—同步量产”的新模式，大幅提升了存储厂商在AI硬件生态中的战略地位。

机构分析指出，2026年DRAM和NAND行业预计将分别出现4.9%和4.2%的供给缺口，供需失衡或延续至2027年。在中国大陆，CXCC、CJCC等本土厂商也在加速扩产与技术迭代，国产替代进程与全球景气周期形成共振。在此背景下，具备先进制程能力、客户协同深度与产能执行力的头部厂商将持续受益，存储产业链的高景气周期已然确立，并有望成为支撑全球AI基础设施发展的核心支柱之一。