高盛：DRAM、NAND与HBM三大产品线同步面临供应压力

AI重塑供需逻辑，存储器告别低价循环
在人工智能算力需求真实爆发与产能扩张刚性受限的双重作用下，全球存储器市场正经历一场前所未有的结构性紧缺。高盛最新研究报告明确指出：未来两年，DRAM、NAND闪存与高带宽内存（HBM）三大核心产品线将同步陷入供应压力，缺货幅度远超市场先前预期。这不仅是一轮周期性涨价，更标志着存储产业“低价循环”时代的终结——AI已从根本上重塑了存储器的供需逻辑，推动行业进入长期供不应求的新常态。
2026年被业内称为近15年来DRAM供需最紧张的一年，高盛预估全年将出现4.9%的供给缺口，2027年仍达2.5%。NAND市场同样紧绷，2026年与2027年缺口分别为4.2%与2.1%，或成行业史上最显著的短缺之一；而HBM作为AI算力核心组件，缺口更高达5.1%与4.0%。三大品类同时告急，反映出AI对存储资源的“乘数效应”已全面显现。过去，智能手机或PC是存储需求主力；如今，单台AI服务器的DRAM用量已是传统服务器的3至5倍，而训练集群对HBM的依赖更使其成为战略级资源。这种由AI驱动的“高质量、高确定性”需求，不再随价格波动轻易退潮，彻底改变了行业周期属性。
服务器成核心引擎，ICMS架构引爆NAND新需求
服务器已成为绝对需求引擎。高盛预测，2026年与2027年服务器DRAM（不含HBM）需求增长率将达39%与22%；若纳入HBM，服务器相关用量占全球DRAM总需求比重将分别升至53%与57%。企业级SSD同样受益，其在NAND总需求中的占比将从当前水平攀升至2026年的36%和2027年的39%，对应需求增速高达58%与23%。与之形成鲜明对比的是，传统终端市场动能明显转弱——2026年移动NAND需求或接近零增长，PC端SSD需求亦停滞不前，均处于历史低位。
英伟达的技术革新进一步加剧了NAND缺货压力。在2026年CES上，黄仁勋发布Vera Rubin AI超算平台，推出“推理上下文内存存储”（ICMS）架构，将Transformer模型推理中的键值缓存（KV Cache）从昂贵的HBM分流至专用SSD层级。该设计不仅提升生成速度与能效最高达5倍，更带来惊人的硬件需求：单台Vera Rubin服务器配备72颗GPU，每颗需16TB SSD，合计高达1.152PB NAND闪存。保守估计，若2026年出货3万台，将新增全球NAND需求2.8%；若2027年达10万台，占比将跃升至9.3%。对于一个扩产周期长达18–24个月的行业而言，如此集中且庞大的增量无异于雪上加霜。
产能扩张受限，国际巨头加速本土化布局
供应端却难以快速响应。SK海力士坦言，全行业受洁净室空间、设备交付周期及先进制程良率限制，短期内产能弹性极低。HBM因采用3D堆叠与TSV硅通孔技术，单颗消耗晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，进一步挤占通用DRAM产能。三星P5厂与SK海力士龙仁新厂最快2027年下半年才能量产，2026年DRAM供给年增率仅约21%，远低于需求增速。值得注意的是，在产品认证等多重因素影响下，美系云服务商暂无法采用CJCC与CXCC产品，使得中国大陆产能虽在扩张，但对全球供需格局影响有限。
面对空前紧缺，国际巨头纷纷加速本土化布局。美光正在美国投资2000亿美元扩产，包括博伊西500亿美元园区（新建两座晶圆厂，首座2027年中量产DRAM）和纽约州雪城1000亿美元超级工厂，并在日本广岛追加96亿美元投资。SK海力士也在韩国和美国印第安纳州推进百亿级项目。市场红利迅速兑现：美光HBM产能已全部售罄，上季度营收增长57%，毛利率从38.4%飙升至56%，预计本季将达68%，接近英伟达图形处理器水平；股价自去年4月以来上涨超6倍，今年以来再涨40%。
HBM成战略支点，产业链深度绑定
HBM的战略地位甚至让英伟达“低头”。农历新年前，黄仁勋特意在韩式餐厅宴请SK海力士与英伟达工程师，主动敬酒致谢，足见其对供应链稳定的重视。作为AI算力的关键瓶颈，HBM4单堆栈带宽已达3TB/s，英伟达对其性能要求远超AMD等竞品体系。SK海力士已拿下2026年超55%的HBM供应份额，三星HBM4报价较上代上涨约30%，单颗营业利润率有望冲击50%–60%。价格传导效应显著——自2025年9月以来，DDR5芯片价格已飙升近500%，短缺正从高端蔓延至整个存储器市场。
国产突围窗口开启，全链条机遇显现
在这场全球风暴中，国产产业链亦暗藏突围机遇。目前DRAM市场由三星、SK海力士、美光三家占据超九成份额，NAND则由这三家联合铠侠、西数掌控六成以上。但CXCC已跻身全球DRAM前四，CJCC NAND市占率接近13%，稳居第二梯队，其Xtacking架构与HBM所需的3D堆叠、混合键合技术路径相通，具备技术延展潜力。CXCC已于2024年推出HBM2芯片并送样，正全力推进HBM3量产，有望在未来一两年内大幅缩短与国际一线的代差。
除原厂外，封测与设备材料环节亦迎来窗口期。长电科技、通富微电、深科技等已掌握2.5D/3D先进封装能力，可支持多层堆叠与硅中介层工艺；盛美上海在TSV三维电镀领域实现高深宽比无空洞填充，华海清科提供减薄、CMP抛光等关键设备组合；雅克科技等材料企业在电子特气、光刻胶、CMP液等领域逐步渗透。尽管高端光刻机、EUV及部分核心材料仍依赖进口，良率与规模效应尚待提升，但部分环节已进入国际大厂认证体系。
风险犹存，但结构性趋势未改
值得关注的是，2月21日有消息称OpenAI将算力支出目标从1.4万亿美元下调至6000亿美元，为AI热潮增添变数。但机构普遍认为，HBM需求由多元客户（英伟达、微软、Meta、谷歌、ASIC厂商）共同驱动，2027年市场规模有望达750亿美元，其中ASIC占比将升至36%，增长具备长期结构性特征。存储器供需紧张格局预计将持续至2027年上半年，这场由AI引爆的存储革命，不仅重塑全球产业版图，也为国产供应链提供了难得的历史性机遇。