三星全力攻坚1c DRAM良率，保障英伟达HBM4稳定供应

人工智能热潮带动HBM需求飙升，三星作为英伟达HBM4核心供应商，已批量供货，目前正全力提升10纳米级1c DRAM良率，良率不稳定是当前核心瓶颈。
据悉，三星HBM4核心逻辑芯片（4纳米工艺）量产良率已超80%，可满足商业化需求。该芯片测试阶段良率曾超90%，因工艺升级回落，目前三星重点攻坚1c DRAM和封装良率。
为抢占HBM4市场，三星率先采用1c DRAM技术，优于SK海力士和美光的1b工艺；4纳米逻辑芯片也领先同行。1c DRAM波长11-12纳米，比1b更精细，使三星成为首家向英伟达批量供应HBM4的企业。
目前三星1c DRAM良率仅60%，远低于同行80%以上水平。每颗HBM4需堆叠12颗DRAM芯片，低良率推高成本，三星已将HBM4价格上调20%以上。当前正全方位优化良率，且1c DRAM未来将用于HBM4E，攻坚至关重要。