炸了！存储价格狂涨159%，HBM疯抢一空，DDR5降价竟是哄人的？

DDR5降价刷屏，真相藏着大猫腻

近期存储圈最受关注的消息，莫过于部分DDR5产品降价的传闻——欧洲32GB DDR5模组从峰值的430-470欧元回落至370-420欧元，大陆市场部分模组也从高位小幅下调，不少人以为存储涨价潮要降温。但中国台湾业内人士一语道破真相：这根本就是“烟雾弹”，降价仅局限于次级品和部分通路，主流高频DDR5产能占比不足20%，供需缺口依旧突出，行业整体热度丝毫未减。

核心总览：涨价159%是主线，存储行业全面进入卖方市场

拨开DDR5降价的迷雾，2026年存储市场的真正主线是一场史诗级涨价狂潮。韩华投资证券分析师2月24日预测，2026年全球存储市场规模同比暴涨159%至5749亿美元，其中DRAM增长192%、NAND增长88%。这场增长由价格主导，DRAM、NAND每Gb均价分别暴涨138%、65%以上，供应限制的影响远大于需求增长。

最关键的信号来自SK海力士：该公司明确表示，目前DRAM和NAND库存仅剩余4周，且全年将持续下降，2026年HBM（高带宽内存）产能已提前售罄，标准型DRAM极度短缺让供应商议价权大幅提升，产业链已启动长期合约谈判，锁定未来供应——这意味着，存储行业已全面进入卖方市场，涨价底气十足。

HBM成绝对主角：产能售罄，三大巨头抢滩布局

这场涨价潮的核心推手，正是AI算力的“核心粮草”——HBM。随着AI模型向十万亿参数迈进，内存带宽成为制约算力的最大瓶颈，AI数据中心对HBM的疯狂渴求，直接引发全球存储产能的剧烈震荡，SK海力士、三星、美光三大巨头（占据全球超95%份额）纷纷调整战略，全力押注HBM赛道，甚至不惜压缩常规DRAM产能。

三大巨头战略清晰：SK海力士作为英伟达核心供应商，借与台积电的封装合作筑牢HBM4技术壁垒，清州M15X厂5月将建成HBM4生产中枢；三星以平泽工厂扩产反击，凭IDM优势争夺云端客户；美光走“精兵路线”，依托北美扩产切入当地供应链，利润增速有望领跑。

技术分水岭：HBM4升级，改写AI算力规则

2026年不仅是HBM的产能争夺年，更是其技术的分水岭。HBM4不再是简单的带宽提升，而是完成了架构的全面升级：相较于8层HBM3E，16层堆叠的HBM4能让AI推理效能提升2倍以上；传输界面从1024-bit翻倍至2048-bit，可让单颗英伟达Rubin GPU配置高达288GB内存，单插槽带宽突破22 TB/s。更值得关注的是，今年超三分之一的HBM需求来自客制化ASIC，存储器已不再是标准化商品，而是需与逻辑芯片协同设计的核心组件。

NAND同步爆发：黄金三年开启，价格反弹超5倍

在HBM引领涨价潮的同时，NAND闪存市场也迎来“黄金三年”新周期，AI的爆发正点燃一场存储革命——NAND已从消费电子扩容的配角，升级为支撑海量AI数据存储与高速推理的关键基础设施。摩根大通报告明确指出，未来三年全球NAND市场规模年复合增长率将从长期平均的10%跃升至30%以上，核心驱动力正是AI推理场景带动的企业级SSD（eSSD）需求爆发。

需求端，2024年eSSD出货量同比激增86%，预计2028年位元需求占比达53%；供给端厂商克制扩产，512GB TLC晶圆半年涨幅达5.5倍，机构预测2026年NAND均价再涨40%。

技术层面，NAND行业的3D堆叠竞赛已进入白热化，主流已迈入176层以上，三星、SK海力士、铠侠/西数联盟均在向300层以上迈进，铠侠的CMOS直接键合阵列（CBA）技术实现性能与密度双重飞跃；闪迪提出的HBF技术（高带宽闪存）更是长期变量，兼具大容量与高带宽、成本低于HBM，预计2028年商用，将成为AI推理的新型存储方案。

竞争格局上，NAND市场呈现寡头垄断态势，三星、铠侠、SK海力士三大巨头合计占据约80%份额，各有侧重：SK海力士（含Solidigm）领先QLC eSSD领域，三星和铠侠主导TLC eSSD市场，美光靠高堆叠层数争夺密度优势，而服务器赛道成为核心争夺点，铠侠被摩根大通列为首选推荐，服务器业务占比提升潜力最大。

产业链传导：封测环节告急，报价再上涨

存储行业的紧张态势，已全面传导至下游封测环节。中国台湾封测厂南茂2月24日举行法说会，董事长郑世杰表示，2026年营运动能稳健且优于2025年，受材料成本上涨和产能吃紧影响，一季度已再度调涨内存封测报价，部分客户甚至愿意出两倍价格争取产能，但公司已无多余产能供应。

为应对需求，南茂今年将大幅增加资本支出，重点布局高频DDR5与DDR6封测产能，适配边缘AI带来的高速内存需求，同时参与台商返台投资计划，降低资金成本，全力把握行业上行周期的机遇。

机构展望：涨价周期延续，国产厂商迎机遇

对于存储行业的未来，各大机构普遍持乐观态度，一致认为涨价周期将持续。瑞银预测，DRAM供应紧张将持续至2027年底，NAND紧缺延续至2027年一季度；高盛更是直言，2026年DRAM供不应求幅度将达过去15年之最。

值得关注的是，这场行业盛宴中，国产存储厂商正迎来崛起机遇。CXCC、CJCC逐步提升市场份额，国内模组厂商业绩也同步改善，在全球存储格局重构中，有望实现突围。

总结：HBM主导格局，涨价潮未到尽头

不难看出，2026年的存储市场，HBM主导的涨价潮才是真正的主线，DDR5的局部降价不过是次级品扰乱市场的“烟雾弹”。随着AI需求持续爆发，HBM、企业级NAND的产能缺口短期内难以缓解，存储行业的涨价狂潮或许还将持续。

未来，掌握HBM核心技术、锁定充足产能的厂商，将在AI算力竞赛中占据绝对优势，重新定义全球存储格局——这场AI点燃的存储革命，才刚刚开启。