HBM霸权争夺战：三星激进扩产，三大原厂围猎英伟达

随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货节点临近，高带宽内存（HBM）成为兵家必争之地。三星电子率先亮出底牌，决定增大其第六代10纳米级DRAM芯片的尺寸，以提升HBM4的性能与良率。虽然这一策略可能因单片晶圆产出数量减少而压缩利润，但能显著提升硅通孔（TSV）工艺的稳定性并优化散热。
据悉，三星在HBM4核心芯片中采用了领先的1c DRAM技术，目前良率已提升至60%左右，并正全力冲刺英伟达的大规模订单。相比之下，SK海力士和美光在其HBM4方案中仍沿用与HBM3E相同的1b DRAM芯片。尽管三星在制程上更为激进，但SK海力士并未示弱，其位于清州的HBM4专用工厂量产计划已提前四个月启动，誓要守住市场地位。
根据机构最新研究，预计英伟达Rubin平台量产后将引爆HBM4需求。目前三大存储器原厂的验证程序已进入尾声，预计2026年第二季度陆续完成。凭借出色的产品稳定性，三星有望率先通过验证，随后SK海力士与美光跟进，最终形成三大厂共同供应英伟达HBM4的格局。